這種特殊的電池具有很好的使用壽命或自放電率，數(shù)據表顯示10年之后其容量仍達90%。非常相似的是，這相當于連續(xù)充電約0.25?A，如果能夠達到10到20年的電池壽命，那么它可以滿足應用的一般要求。

伴隨電池壽命的是有限的電荷數(shù)，設計者必須在MCU運行的所有階段減少產品的電流和運行時間，不僅要減少每微安數(shù)，還要減少每個動作花費的每個微秒。

為減小深度睡眠模式下消耗的電流，在能源敏感應用的MCU中采用8位(或16位)內核已經非常普遍。其理由是，8位內核(即使是在這類設計中經常采用的最新版本中)很小，門控相對較少，靜電電流或漏電流較低。但是，現(xiàn)在的許多應用都需要比8位內核所能提供的更大的處理能力。在其它MCU應用領域，用戶往往選擇從8位升級到一個32位環(huán)境。在低功耗的情況下，人們一直先入為主地認為32位內核在其掉電模式狀態(tài)下使用的電流一定高得令人無法接受。隨著全套低功耗設計技術的出現(xiàn)，今天的IC設計工程師已經可以用一個32位ARM內核提供各種低功耗模式，效果與8位產品一樣甚至更好，而且還能實現(xiàn)快速喚醒。32位處理器更高的處理性能也使MCU可以更快完成任務，從而能夠有更多時間處于這些低功耗模式下，這可以進一步降低平均功耗。

低功耗外圍設備功能

為實現(xiàn)盡可能低的功耗，優(yōu)化MCU睡眠狀態(tài)功耗需要整體的設計方法。除了內核，MCU中的其它模塊在待機設備、穩(wěn)壓器、偏置電流發(fā)生器，欠壓檢測比較儀、上電復位電路中會繼續(xù)消耗電流。幾乎在任何情況下，一個簡單的折衷法則是：掉電狀態(tài)越久，就有越多外圍設備的功能被完全關斷，芯片準備好實現(xiàn)處理任務的喚醒時間就越長。由于應用之間差別很大，MCU設計工程師提供一種靈活的斷電狀態(tài)下的擴展套件就顯得很重要了，這樣產品設計人員就可以很好地為其項目進行待機功率和響應能力的折衷。

設計一個在nanoamp區(qū)獲得最深度睡眠狀態(tài)電流水平的ARM內核只是低能源戰(zhàn)略的一個步驟。能夠獲得32位內核的處理能力為管理能源的利用開辟了新途徑。在任何時候，它是MCU供電圖下面的區(qū)域，隨著時間的推移，它表示從電池里取走的電荷(圖2)。