數字供電和常見的模擬供電不同，前者采用了數字PWM，體積更小的整合了數字MOSFET和DRIVER的芯片，以及體積更小的數字排感，搭配多個MLCC;而模擬供電不同，采用傳統(tǒng)的PWM芯片，每相搭配2-4個體積比較大的MOSFET，每相搭配一個獨立的電感，而且會搭配容量比較大的電容。所以從外觀上，我們很容易分辨數字供電和模擬供電。

可看出影馳這款顯卡采用了數字PWMVT1165MF，體積非常小、整合MOSFET和DRIVER的CSP封裝VOLTERRA公司的VT1195SFMULTIPHASE電源芯片，以及CPL-4-50數字排感和MLCC，顯然這是典型的數字供電。不過數字供電的意義不僅僅在于體積，更在于性能。

數字供電采用的PWMIC

顯卡采用的PWM芯片為VT1165MF，在NVIDIA旗艦顯卡上很常見，可以輕松搞定數百瓦功耗的頂級顯卡。通過VT1165MF組成的數字供電，轉換效率遠高于模擬供電普遍保持的70-80%，而達到了90%.不僅僅如此，由它組成的數字供電還更為精確，GPU電壓峰值幅度僅140mV，而模擬供電GPU電壓峰值幅度卻有300mV.更精確的供電有利于保證GPU穩(wěn)定工作，超頻也更容易達到極限，壽命也更長。

數字供電采用的MOSFET

上面我們已經談到數字供電和模擬供電最明顯的特征之一，那就是MOSFET和DRIVER.這款數字供電顯卡采用了VT1195SF，內部整合了MOSFET和DRIVER.相比模擬供電常采用的工作頻率在300KHz的MOSFET，數字供電MOSFET工作頻率非常高，達到了800KHz.更高的開關頻率，使得數字供電瞬態(tài)性能更佳，功耗更低，轉換效率更高。同時，數字供電可以驅動的電流每相可以達到40A，遠遠超過了模擬供電普遍30A的極限。結合這款顯卡4相數字供電設計來看，它可以提供電流達160A，這樣大的電流也更適合超頻。

不僅僅如此，數字供電的MOSFET可以承受的溫度更高，可以適應更惡略的工作環(huán)境。普通模擬供電采用的MOSFET，盡管獨立設計，相對散熱更好一些，但是它們最高能承受的溫度只有100度左右。而上面的數字MOSFET最高承受的溫度可達200度。這樣一來，數字供電應用范圍也更廣。拋開成本來看，數字MOSFET件前景更光明。