近年來，Si功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

1、碳化硅功率二極管

碳化硅功率二極管有三種類型：肖特基二極管（SBD）、piN二極管和結(jié)勢壘控制肖特基二極管（JBS）。由于存在肖特基勢壘，SBD具有較低的結(jié)勢壘高度。因此，SBD具有低正向電壓的優(yōu)勢。SiCSBD的出現(xiàn)將SBD的應(yīng)用范圍從250V提高到了1200V。同時(shí)，其高溫特性好，從室溫到由管殼限定的175℃，反向漏電流幾乎沒有增加。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，SiCpiN和SiCJBS二極管由于比Si整流器具有更高的擊穿電壓、更快的開關(guān)速度以及更小的體積和更輕的重量而備受關(guān)注。

2、單極型功率晶體管，碳化硅功率MOSFET器件

硅功率MOSFET器件具有理想的柵極電阻、高速的開關(guān)性能、低導(dǎo)通電阻和高穩(wěn)定性。在300V以下的功率器件領(lǐng)域，是首選的器件。有文獻(xiàn)報(bào)道已成功研制出阻斷電壓10kV的SiCMOSFET。研究人員認(rèn)為，碳化硅MOSFET器件在3kV～5kV領(lǐng)域?qū)⒄紦?jù)優(yōu)勢地位。盡管遇到了不少困難，具有較大的電壓電流能力的碳化硅MOSFET器件的研發(fā)還是取得了顯著進(jìn)展。

另外，有報(bào)道介紹，碳化硅MOSFET柵氧層的可靠性已得到明顯提高。在350℃條件下有良好的可靠性。這些研究結(jié)果表明柵氧層將有希望不再是碳化硅MOSFET的一個(gè)顯著的問題。

3、碳化硅絕緣柵雙極晶體管（SiCBJT、SiCIGBT）和碳化硅晶閘管（SiCThyristor）

最近報(bào)道了阻斷電壓12kV的碳化硅p型IGBT器件，并具有良好的正向電流能力。碳化硅IGBT器件的導(dǎo)通電阻可以與單極的碳化硅功率器件相比。與Si雙極型晶體管相比，SiC雙極型晶體管具有低20～50倍的開關(guān)損耗以及更低的導(dǎo)通壓降。SiCBJT主要分為外延發(fā)射極和離子注入發(fā)射極BJT，典型的電流增益在10-50之間。

關(guān)于碳化硅晶閘管，有報(bào)道介紹了1平方厘米的晶閘管芯片，阻斷電壓5kV，在室溫下電流100A（電壓4.1V），開啟和關(guān)斷時(shí)間在幾十到幾百納秒。

SiC功率器件市場前景廣闊

2014年全球Si功率器件市場規(guī)模約150億美元，其中SiC功率器件為1.2億美元，不到Si功率器件的1%。SiC器件2014年總市場規(guī)模約為1.33億美元，至2020年市場規(guī)?？蛇_(dá)4.36億美元，年復(fù)合增長率為22%。

預(yù)測，至2025年：碳化硅MOSFET市場規(guī)模將會超越3億美元，成為僅次于碳化硅肖特基二極體的第二大碳化硅離散功率元件；SiCFETs與BJTs產(chǎn)品獲得市場信賴，但多應(yīng)用于專業(yè)或小眾產(chǎn)品，規(guī)模遠(yuǎn)低于SiCMOSFET市場；結(jié)合SiC二極管與SiIGBT所形成的混合式SiC功率模組，2015年該產(chǎn)品市場銷售額約為3，800萬美元，預(yù)計(jì)2025年銷售額將會突破10億美元。

SiC功率器件發(fā)展中存在的問題

1、在商業(yè)化市場方面：

（1）昂貴的SiC單晶材料。由于Cree公司技術(shù)性壟斷，一片高質(zhì)量的4英寸SiC單晶片的售價(jià)約5000美元，然而相應(yīng)的4英寸Si片售價(jià)僅為7美元。如此昂貴的SiC單晶片已經(jīng)嚴(yán)重阻礙了SiC器件的發(fā)展。

（2）Cree公司的技術(shù)壟斷。由于Cree公司在世界各國申請了許多專利，嚴(yán)重制約了其他公司在SiC領(lǐng)域的發(fā)展。

2、在技術(shù)方面：

（1）SiC單晶材料雖然在導(dǎo)致SiC功率半導(dǎo)體性能和可靠性下降的致命缺陷微管密度降低和消除方面近年來取得很大進(jìn)展，但位錯(cuò)缺陷等其他缺陷對元件特性造成的影響仍未解決。

（2）SiC器件可靠性問題。SiCMOSFET器件目前存在兩個(gè)主要技術(shù)難點(diǎn)沒有完全突破：低反型層溝道遷移率和高溫、高電場下柵氧可靠性。與SiMOSFET相比，體現(xiàn)不出SiCMOSFET的優(yōu)勢。

（3）高溫大功率SiC器件封裝問題。

功率半導(dǎo)體的SiC之路期待突破

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。晶閘管發(fā)展已有近六十年歷史，技術(shù)成熟也得到廣泛應(yīng)用，可以借鑒它的歷史來預(yù)測碳化硅功率器件。想當(dāng)初IGBT興起時(shí)，與晶閘管參數(shù)指標(biāo)相差極大，晶閘管已能做到2-3KV、2-3KA時(shí)，IGBT僅僅是電流過百、電壓過千。在短短的二十幾年間，IGBT從第一代迅速發(fā)展到第六代，電壓和電流已與晶閘管并駕齊驅(qū)，顯示出IGBT優(yōu)越性能。

晶閘管能干的IGBT全能干、IGBT能干的晶閘管干不了，在相當(dāng)大的一片應(yīng)用領(lǐng)域里IGBT因其不可替代的優(yōu)越性能獨(dú)居鰲頭。但是晶閘管仍以其比較高的性價(jià)比守住了自己的大片陣地。碳化硅材料技術(shù)的進(jìn)展已使部分碳化硅功率器件用于實(shí)際成為可能。但還有許多關(guān)鍵的技術(shù)問題需要解決。晶閘管電流從小到大、電壓從低到高經(jīng)歷了數(shù)十年的風(fēng)風(fēng)雨雨，IGBT也有這樣的一個(gè)不凡的過程。可見SiC功率器件的發(fā)展也會有一個(gè)漫長的過程。

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