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阿貢實(shí)驗(yàn)室固態(tài)電池新成果:鋰金屬石榴基固態(tài)電解質(zhì)界面研究新方法

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1530次  |  2020年03月04日  

固態(tài)電解質(zhì)相比傳統(tǒng)液體電解質(zhì)電池由于其自身更高的能量密度,更寬的電化學(xué)窗口,較為靈活的運(yùn)行溫度及較高的安全性正在成為一種重要的電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)。立方體石榴基材料La3Zr2O12(LLZO)是全固態(tài)鋰金屬電池中一種特別有前景的固態(tài)電解質(zhì)。通過(guò)等價(jià)摻雜,室溫下鋰離子電導(dǎo)率可高達(dá)≈1.0mScm-1。而且有證據(jù)表明摻雜劑類型會(huì)影響LLZO與鋰金屬的界面。然而,關(guān)于LLZO與金屬鋰或更高電勢(shì)的正極材料在長(zhǎng)期的循環(huán)中是否能夠保持界面穩(wěn)定依然不是很清晰。在長(zhǎng)期的循環(huán)中,任何(電)化學(xué)反應(yīng)的存在都將導(dǎo)致電池故障,所以深入了解固體電解質(zhì)與電極材料之間的界面反應(yīng)性關(guān)于開(kāi)發(fā)具有長(zhǎng)壽命的高壓固態(tài)電池至關(guān)重要。


但是由于許多實(shí)驗(yàn)技術(shù)無(wú)法充分探究密閉環(huán)境中的界面電化學(xué),因此理解固態(tài)電池的界面問(wèn)題是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。基于此,本文提出了一種基于表面科學(xué)的方法,用于表征密閉環(huán)境中鋰固態(tài)電解質(zhì)界面反應(yīng)。其原理就是將鋰在室溫下濺射到固體電解質(zhì)材料中,并使用XPS監(jiān)測(cè)界面化學(xué)反應(yīng)。該方法成功地監(jiān)測(cè)摻雜材料中Nb的還原,這意味著摻雜確實(shí)在LLZO-Li界面反應(yīng)性中起關(guān)鍵作用。


成果簡(jiǎn)介


美國(guó)阿貢實(shí)驗(yàn)室的NenadM.Markovic教授等人采用一種新的,基于表面科學(xué)的方法來(lái)表征鋰/固體電解質(zhì)界面反應(yīng),他們發(fā)現(xiàn)關(guān)于LLZO的三種摻雜類型都會(huì)發(fā)生一定程度的Zr還原,還原程度隨著摻雜含量的新增而新增,且Ta<Nb<Al。同時(shí)他們通過(guò)EIS和DFT,證明了Nb摻雜LLZO,Nb會(huì)優(yōu)先在鋰/電解質(zhì)界面還原,并擴(kuò)散到內(nèi)部,Ta摻雜時(shí)就沒(méi)有這種現(xiàn)象。借助EIS和DFT及觀察到界面處Zr的還原,與“氧缺陷”(ODI)界面的形成一致,這種結(jié)構(gòu)決定了LLZO-Li界面的穩(wěn)定性。相關(guān)文獻(xiàn)“Dopant-DependentStabilityofGarnetSolidElectrolyteInterfaceswithLithiumMetal”發(fā)表在Adv.EnergyMater.上。


研究亮點(diǎn)


本文提出了一種基于表面科學(xué)的方法,用于表征密閉環(huán)境中鋰固態(tài)電解質(zhì)界面反應(yīng)。


該方法操作簡(jiǎn)單,可信度較高。


圖文解讀


圖1Nb摻雜的LLZO經(jīng)過(guò)不同處理表面的O1s的XPS圖譜


(a)未拋光Nb摻雜的LLZO表面的O1s的XPS圖譜;


(b)拋光后Nb摻雜的LLZO表面的O1s的XPS圖譜;


(c)80℃超高真空(UHV)退火后Nb摻雜的LLZO表面的O1s的XPS圖譜;


(d)500℃超高真空(UHV)退火后Nb摻雜的LLZO表面的O1s的XPS圖譜。


要點(diǎn)解讀:若將LLZO暴露在空氣中,表面會(huì)形成Li2CO3和LiOH,不僅會(huì)增大電池電阻同屬對(duì)調(diào)查L(zhǎng)LZO與金屬鋰界面化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生影響,因此本文中對(duì)材料采用了不同程度的表面清理。圖(a)中,在未拋光的LLZO表面,除了可以看到材料的特征峰530.7eV之外,還可以看到在533.7eV的Li2CO3和532.8eV的LiOH。但是拋光后在圖(b)中LiOH的濃度依然很高,為了進(jìn)一步清潔LLZO表面,這些樣品再拿到80℃下經(jīng)UHV退火(c),最后,500℃再次退火徹底移除表面的Li2CO3。


圖2Nb-LLZO,Al-LLZO和Ta-LLZO的Nb3d和Zr3d的XPS光譜,未拋光(頂部),拋光(中間)和UHV加熱(底部)[紅色:鋰金屬沉積之前,藍(lán)色:鋰金屬沉積之后]


注:為了闡述并強(qiáng)調(diào)在這些表面上缺乏反應(yīng)性,僅在未拋光的材料表面顯示Li沉積前后的比較。


要點(diǎn)解讀:為Nb,Ta和Al摻雜的LLZO制備三個(gè)不同的表面:未拋光,拋光和500℃退火,產(chǎn)生總共9種不同的LLZO表面。將Li金屬直接沉積在每個(gè)表面上,并保證沉積時(shí)間相同。然后立即在UHV條件下轉(zhuǎn)移樣品用于XPS表征。從圖S6b中,可以看出La在任何表面都沒(méi)有活性,但是在XPS中,由于Cu3s和3p核心水平的光譜重疊,所以不能對(duì)Al的2s或2p進(jìn)行分析。對(duì)所以未拋光過(guò)的材料進(jìn)行分析表明,無(wú)論摻雜劑類型如何,在鋰沉積之后基本上沒(méi)有界面反應(yīng)。然而,當(dāng)鋰沉積到拋光的材料里時(shí),在Nb摻雜的樣品中,可以看到有明顯的峰證明Nb5+還原成Nb4+和Nb3+,但是沒(méi)有觀察到Zr4+的還原。當(dāng)鋰沉積到經(jīng)UHV退火的三種材料時(shí),可以觀察到更大程度Nb的還原,以及存在額外的還原物質(zhì)Nb2+和Nb1+。關(guān)于所有三種摻雜劑類型也觀察到Zr的還原,其中Al摻雜材料表現(xiàn)出最大程度的Zr還原以及在179.0eV處存在額外的Zr0峰。


表1Li金屬沉積后LLZO的元素還原百分比(由圖2中的XPS相對(duì)峰強(qiáng)度計(jì)算)和每摩爾LLZO的總電荷轉(zhuǎn)移(基于每種表面條件的氧化態(tài)的總變化)。-表示沒(méi)有變化。


要點(diǎn)解讀:經(jīng)UHV退火后,Nb和Al摻雜的LLZO在與Li金屬反應(yīng)后表現(xiàn)出相當(dāng)?shù)碾姾赊D(zhuǎn)移,分別約0.58和0.60mol電子轉(zhuǎn)移。這與Ta摻雜的LLZO形成鮮明比較,在界面處僅有0.08mole-轉(zhuǎn)移,表明三種摻雜材料還原程度的總體趨勢(shì)是Al≥Nb>Ta。


圖3


(a)具有Nb-LLZO的Li-Li對(duì)稱電池,在72小時(shí)內(nèi)不同時(shí)間段的EIS圖;


(b)具有Tb-LLZO的Li-Li對(duì)稱電池,在72小時(shí)內(nèi)不同時(shí)間段的EIS圖;


(c)具有Al-LLZO的Li-Li對(duì)稱電池,在72小時(shí)內(nèi)不同時(shí)間段的EIS圖;


注:插圖是每個(gè)摻雜LLZO樣品的初始EIS圖譜中高頻區(qū)域的擬合等效電路(黑線)。


要點(diǎn)解讀:為了將界面反應(yīng)性與電化學(xué)響應(yīng)相關(guān)聯(lián),對(duì)稱Li||LLZO||Li電池進(jìn)行了電化學(xué)阻抗譜(EIS)和恒電流循環(huán)測(cè)試(圖3和圖S7)。EIS光譜中顯示兩個(gè)半圓和一個(gè)低頻尾/半圓,為了考慮界面處的化學(xué)擴(kuò)散,使用L-R1-(R2Q)-W等效電路模型擬合光譜。該模型表明,在第一個(gè)半圓中,其峰值≈300kHz,對(duì)應(yīng)于LLZO顆粒中的晶界傳導(dǎo)。該半圓存在于所有LLZO測(cè)試中,并且與文獻(xiàn)中其他地方報(bào)道的值一致。然而在對(duì)稱Li||LLZO||Li電池相比Au||LLZO||Au表現(xiàn)出額外的阻抗,其具體表現(xiàn)在頻率≈1kHz處,并將其歸因于Li/LLZO界面反應(yīng)性時(shí)電荷轉(zhuǎn)移電阻(Relectrode)。Al,Ta摻雜的LLZO其Relectrode約為100和50Ωcm2,然而在Nb摻雜中Relectrode卻有800Ωcm2。但這些電阻都非常低,并且是由Li金屬真空沉積形成Li-LLZO界面的結(jié)果。此外,盡管界面Zr的反應(yīng)性程度最高,但Al摻雜的LLZO表現(xiàn)出非常低的界面阻抗(即Nb?Al>Ta),這表示界面反應(yīng)性本身并不是一種有害現(xiàn)象,并且可能導(dǎo)致界面的自發(fā)穩(wěn)定。在EIS光譜的低頻區(qū)域也觀察到第三個(gè)半圓,關(guān)于Al和Ta摻雜的LLZO,其在≈0.1Hz處顯示出峰值,但在Nb摻雜的LLZO沒(méi)有觀察到。此特征在等效電路模型中使用Warburg元素建模,并歸因于Li離子通過(guò)電容性,阻擋在界面層擴(kuò)散的電阻。目前還不清楚為何Nb摻雜的LLZO樣品沒(méi)有出峰,它可能與Nb-LLZO/Li界面處的ODI結(jié)構(gòu)有關(guān),進(jìn)而改變了對(duì)Li擴(kuò)散的阻礙。在3天的測(cè)量過(guò)程中,Al和Ta摻雜樣品的EIS光譜基本不變,而Nb摻雜LLZO的電荷轉(zhuǎn)移電阻(R2)新增到1600Ωcm2。這表明從XPS測(cè)量中觀察到的對(duì)Al和Ta摻雜樣品的反應(yīng)性是表面限制的,而對(duì)Nb摻雜材料表面反應(yīng)時(shí)不受限的,并且反應(yīng)能深入到體相中。


圖4


(a)材料表面的Nb3dXPS光譜;


(b)材料表面的Zr3dXPS光譜。


注:材料的處理過(guò)程:將Nb-LLZOUHV退火后,與鋰金屬接觸反應(yīng)3天然后拋光從表面除去約0.3mm的材料。


要點(diǎn)解讀:將Nb摻雜LLZO從測(cè)試過(guò)阻抗阻抗的扣電中取出,發(fā)現(xiàn)顏色已經(jīng)發(fā)生了很大的變化,但是在Al和Ta摻雜的材料中并沒(méi)有顏色的變化。取出的Nb摻雜LLZO重新拋光但又移除表面的顏色變化的部分,進(jìn)行XPS測(cè)試,結(jié)果表明,在Nb摻雜LLZO中,有大量的Nb的還原。Nb-LLZO的XRD測(cè)量顯示存在晶格膨脹但沒(méi)有額外的雜質(zhì)相形成(圖S11),這與Li嵌入一致并且表明Nb的還原不會(huì)引起體相變化。體相中大量的Nb還原和晶格膨脹強(qiáng)烈地表明,由于與Li金屬反應(yīng),額外的Li嵌入到體相中,驅(qū)動(dòng)Nb的還原使得Nb摻雜LLZO從固體電解質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)檎龢O材料。與Nb相比,樣品中Zr的XPS譜中僅觀察到Zr4+,表明Zr的還原不會(huì)進(jìn)一步進(jìn)入本體。即Zr4+還原與ODI層的形成有關(guān),而不是與LLZO-Li界面處的Li+的嵌入有關(guān)。我們注意到在這些測(cè)試并沒(méi)有電流通過(guò),證明觀察到的反應(yīng)性僅由LLZO與Li金屬接觸的固有熱力學(xué)穩(wěn)定性驅(qū)動(dòng)。


圖6LBASEILi的電化學(xué)性能


(a,b)兩種Nb摻雜LLZO的優(yōu)化結(jié)構(gòu)(a:體相摻雜,b:表面摻雜);


(c)在有鋰和無(wú)鋰時(shí),Nb,Ta體相摻雜和表面摻雜的能量差。


要點(diǎn)解讀:為了解釋Ta和Nb摻雜的LLZO的穩(wěn)定性差異,作者通過(guò)計(jì)算每種摻雜劑的幾個(gè)實(shí)例并給出了平均能量值,他們發(fā)現(xiàn)界面能量在很大程度上不依賴于摻雜元素。同時(shí)計(jì)算了摻雜和未摻雜結(jié)構(gòu)的DOS(圖S12),但在DOS中觀察到Nb摻雜和Ta摻雜的差異很小,不足以解釋Ta和Nb摻雜的LLZO的穩(wěn)定性差異。作者還考慮了每種摻雜劑類型的不同摻雜劑分布,摻雜劑均勻分布在體相中或分散到表面,發(fā)現(xiàn)在Ta摻雜的LLZO的情況下,在有鋰和無(wú)鋰時(shí),摻雜劑原子分布在表面與體相的平均能量幾乎相同,但在Nb摻雜的LLZO,Nb更傾向于在表面摻雜。這說(shuō)明在熱力學(xué)上,Nb更容易取代LLZO表面附近的Zr位點(diǎn),而Ta對(duì)表面和本體位點(diǎn)具有大致相同的偏好。在沉積的Li金屬存在下,Nb優(yōu)先占據(jù)表面附近的Zr位點(diǎn)的能力稍微強(qiáng)一些,這表明Nb的摻雜會(huì)使得Li-LLZO界面有更高的反應(yīng)性。這種高反應(yīng)性可進(jìn)一步導(dǎo)致反應(yīng)深入到體相當(dāng)中。


圖7示意圖說(shuō)明摻雜劑類型對(duì)Zr亞晶格的化學(xué)組成的影響以及與Li金屬接觸的缺氧中間相的結(jié)構(gòu)/厚度。Li層中的顏色梯度表示氧偏析到金屬中。


(a)Al摻雜的LLZO的結(jié)構(gòu)示意圖,圖中有意省略Al摻雜劑,因?yàn)樗鼈儾荒艽鎆r;


(b)Ta摻雜的LLZO的結(jié)構(gòu)示意圖;


(c)Nb摻雜的LLZO的結(jié)構(gòu)示意圖(用于表示Nb4+和Nb3+的還原,Nbγ+用于表示高度還原的Nb2+和Nb1+)。


要點(diǎn)解讀:在所有情況下,ODI的形成可能產(chǎn)生于Li金屬到LLZO主體的化學(xué)勢(shì)的梯度,該層的完整性和形成程度影響界面阻抗。由于Nb和Ta都作為Zr的取代摻雜劑,LLZO內(nèi)摻雜劑的分布必然會(huì)影響ODI的形成和電子結(jié)構(gòu)。DFT結(jié)果表明Nb更傾向于分布在LLZO的表面,因此這種分布差異可能使得Nb摻雜LLZO上的Zr的反應(yīng)性相關(guān)于Ta摻雜存在差異。在Ta摻雜LLZO的情況下,Ta均勻分布并且對(duì)Li金屬穩(wěn)定,導(dǎo)致整體表面更穩(wěn)定。Ta穩(wěn)定的還原性也可能導(dǎo)致更薄的ODI層,這可以解釋該材料中相關(guān)于其他摻雜劑類型的Zr還原程度相對(duì)較低的原因。相反,當(dāng)界面處Nb含量新增,加上與Li接觸Nb發(fā)生顯著的還原,導(dǎo)致ODI的破壞和不穩(wěn)定,使得觀察到的反應(yīng)深入到Nb摻雜LLZO的體相中。


文章提出了一種基于表面科學(xué)的方法,成功地研究了不同摻雜劑石榴基固態(tài)電解質(zhì)與鋰金屬的界面性質(zhì)。其原理就是將鋰在室溫下濺射到固體電解質(zhì)材料中,并使用XPS監(jiān)測(cè)界面元素的價(jià)態(tài)變化,并根據(jù)價(jià)態(tài)變化推測(cè)界面性質(zhì)。由于此過(guò)程完全是在沒(méi)有電流的情況下進(jìn)行的,所以這就為研究密閉環(huán)境中鋰固態(tài)電解質(zhì)與鋰的界面反應(yīng),研究固態(tài)鋰金屬電池界面性質(zhì)供應(yīng)了一種新的途徑。


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