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防止IGBT不良反應(yīng)的隔離驅(qū)動(dòng)7條相關(guān)經(jīng)驗(yàn)

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1171次  |  2020年03月18日  

IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場(chǎng)合,要在這些場(chǎng)合應(yīng)用,首先就要擁有防止欠壓、米勒效應(yīng)、過(guò)載一類(lèi)的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的設(shè)計(jì)上就要相應(yīng)的設(shè)計(jì)技巧。本文將為針對(duì)防止不良反應(yīng)為前提來(lái)介紹IGBT功率器件設(shè)計(jì)的八種技巧。


如何防止米勒效應(yīng)


IGBT操作時(shí)所面對(duì)的問(wèn)題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類(lèi)型的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)。門(mén)集-電極之間的耦合,在于IGBT關(guān)斷期間,高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通(門(mén)集電壓尖峰),這是潛在的危險(xiǎn)。


當(dāng)上半橋的IGBT打開(kāi)操作,dVCE/dt電壓變化發(fā)生跨越下半橋的IGBT。電流會(huì)流過(guò)米勒的寄生電容,門(mén)極電阻和內(nèi)部門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻。這將倒至門(mén)極電阻電壓的出現(xiàn)。假如這個(gè)電壓超過(guò)IGBT門(mén)極閾值的電壓,可能會(huì)導(dǎo)致寄生IGBT道通。


有兩種傳統(tǒng)解決方法。首先是添加門(mén)極和發(fā)射極之間的電容。第二個(gè)解決方法是使用負(fù)門(mén)極驅(qū)動(dòng)。第一個(gè)解決方法會(huì)造成效率損失。第二個(gè)解決方法所需的額外費(fèi)用為負(fù)電源電壓。


解決方法是通過(guò)縮短門(mén)極-發(fā)射極的路徑,通過(guò)使用一個(gè)額外的晶體管在于門(mén)極-發(fā)射極之間。達(dá)到一定的閾值后,晶體管將短路門(mén)極-發(fā)射極地區(qū)。這種技術(shù)被稱(chēng)為有源米勒鉗位。


故障保護(hù)功能有什么?都是集成在隔離驅(qū)動(dòng)器里嗎?


3種故障保護(hù)功能都集成到Avago的高集成柵極驅(qū)動(dòng)器ACpL-33xJ里-UVLO(以防止VCC2電平不足夠時(shí)開(kāi)啟IGBT),DESAT(以保護(hù)IGBT過(guò)電流或短路),和米勒鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發(fā))。


關(guān)于工作于600V直流母線(xiàn)的30~75A、1200VIGBT而言,ACpL-33x、ACpL-H342這5顆帶miller鉗位保護(hù)的柵極驅(qū)動(dòng)光耦能否僅以單電源供電就能實(shí)現(xiàn)高可靠性驅(qū)動(dòng),相比于傳統(tǒng)的正負(fù)供電,可靠性是更高,還是有所不足?


AvagoACpL-332J,ACpL-333J以及ACpL-H342的門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦可以輸出電流2.5A。這些產(chǎn)品適合驅(qū)動(dòng)1200V,100A類(lèi)型的IGBT。


1、當(dāng)使用負(fù)電源,就不要使用米勒箝位,但需花額外費(fèi)用在負(fù)電源上。


2、假如只有單電源可使用,那么設(shè)計(jì)者可以使用內(nèi)部?jī)?nèi)置的有源米勒箝位。


這兩種解決方法相同可靠。米勒箝引腳在不使用時(shí),要連接到VEE。


欠壓、缺失飽和如何更好的被防止?


AVAGO門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦帶有欠壓閉鎖(UVLO)保護(hù)功能。當(dāng)IGBT故障時(shí),門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦供電的電壓可能會(huì)低于閾值。有了這個(gè)閉鎖保護(hù)功能可以確保IGBT繼續(xù)在低電阻狀態(tài)。


智能門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦,HCpL-316J和ACpL-33xJ,附帶DESAT檢測(cè)功能。當(dāng)DESAT引腳上的電壓超過(guò)約7V的內(nèi)部參考電壓,而IGBT仍然在運(yùn)行中,后約5μs,F(xiàn)ault引腳改成邏輯低狀態(tài),以通知MCU/DSp。


在同一時(shí)間,那1X小粒晶體管會(huì)導(dǎo)通,把IGBT的柵極電平通過(guò)RG電阻來(lái)放電。由于這種晶體管比實(shí)際關(guān)斷晶體管更小約50倍,IGBT柵極電壓將被逐步放電導(dǎo)致所謂的軟關(guān)機(jī)。


光耦的工作環(huán)境溫度范圍


工作環(huán)境溫度范圍可達(dá)-40°C至105°C。在工業(yè)應(yīng)用情況下是足夠的。假如客戶(hù)要更高的工作溫度,R2Coupler光耦可以運(yùn)作在擴(kuò)展溫度達(dá)到125°C。


光耦絕緣耐壓


門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦有不同的封裝。每個(gè)封裝都有其自身的特點(diǎn)-如不同的爬電距離和間隙,以配合不同的應(yīng)用。不同的爬電距離和間隙對(duì)應(yīng)于不同的工作絕緣電壓,Viorm。最大Viorm從566V至2262V之間。


光耦柵極驅(qū)動(dòng)器最高的輸出電流


根據(jù)選擇的器件型號(hào),Avago的光耦門(mén)極驅(qū)動(dòng)器最大輸出電流可以達(dá)到0.4A、0.6A、1.0A、1.5A、2.5A、3.0A、4.0A、5.0A。


本文通過(guò)7個(gè)方面對(duì)隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件,在電路設(shè)計(jì)中如何防止短路、米勒效應(yīng)等IGBT不良反應(yīng)情況的出現(xiàn)的方法進(jìn)行了介紹,本文內(nèi)容較多,關(guān)于初級(jí)入門(mén)的讀者來(lái)說(shuō)可能要進(jìn)行反復(fù)的閱讀,才能理解其中的知識(shí),大家不妨收藏本文,方便隨時(shí)閱讀。


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