目前看來，HIT是最有競爭力的下一代光伏電池技術(shù)。HIT叫法繁多，沒有形成統(tǒng)一名稱，各個廠商各自為戰(zhàn)，明明是相同的技術(shù)路線，各家公司卻偏要叫不同的名字，HIT、HJT、HDT、SHJ其實指的是同一個東西，都是指異質(zhì)結(jié)光伏電池?，F(xiàn)在正處于HIT產(chǎn)業(yè)推廣的初期，消費者還沒有對HIT的優(yōu)勢形成清晰認知，各個廠家卻又要標(biāo)新立異起不同的名字，使得下游電站業(yè)主傻傻地分不清楚，新增認知難度，不利產(chǎn)業(yè)推廣，所以此處我呼吁國內(nèi)重要HIT技術(shù)路線上的廠家，盡快統(tǒng)一路線名稱，為大家理解HIT發(fā)電優(yōu)勢掃清認知障礙。由于為本文寫作供應(yīng)大量幫助的易治凱先生習(xí)慣于把異質(zhì)結(jié)電池叫做HIT，所以本文使用HIT這個名字。

HIT專利從2015年過期，現(xiàn)在各家發(fā)展HIT已無專利方面的障礙，核心障礙在于如何把成本做低，HIT成本方面的障礙重要來自1、設(shè)備未完成國產(chǎn)化單位產(chǎn)量投資額度較高；2、產(chǎn)量較小導(dǎo)致N型硅片、關(guān)鍵輔材價格較高。第二個問題是一個先有雞還是先有蛋的問題，所以HIT真正想獲得量產(chǎn)突破，必須實現(xiàn)關(guān)鍵設(shè)備的國產(chǎn)化突破并把單位產(chǎn)量的投資成本大幅降低。這些年我們國家在高精尖設(shè)備領(lǐng)域接連突破，我國的裝備制造業(yè)正在快速由大變強，這也是我對HIT技術(shù)路線如此有信心的原因所在。

一、看好HIT電池路線的原因

看好HIT技術(shù)路線是因為：

更高的效率潛力（目前最高25．6％，疊加IBC的效率記錄是26．63％）

更高的雙面率（理論雙面率可做到98％）

更大的降成本潛力（工藝步驟少、硅片薄片化潛力大）

更低的衰減（無P型組件常見的光致衰減現(xiàn)象）

更優(yōu)秀的溫度系數(shù)（溫度系數(shù)為－0．258％，常規(guī)晶硅電池為－0．46％）

更適合與疊瓦技術(shù)相結(jié)合（HIT電池柔性不易隱裂，更適合）

下面我們逐條分析HIT電池的每一個點。

1、更高的效率潛力

HIT采用N型硅片具有較高的少子壽命，同時HIT采用特殊的非晶硅鈍化的對稱結(jié)構(gòu)可以獲得較低的表面復(fù)合速率，這些特點是的HIT電池可以獲得很高的開路電壓（HIT電池開路電壓740mv、perc電池開路電壓660mv，引述自易治凱先生），最終效率潛力比目前P－perc電池片要高1．5～2％。實驗室效率記錄方面，P－perc電池目前最高實驗室效率最近由晶科能源取得23．95％；三洋則是HIT電池效率記錄的保持者，效率為25．6％。量產(chǎn)平均電池效率方面，目前國內(nèi)領(lǐng)先的P－perc電池效率可做到21．7％，年底實現(xiàn)22％的效率水平；而以晉能科技為代表的HIT目前量產(chǎn)電池片效率為23．27％，年底有望實現(xiàn)24％的平均量產(chǎn)效率。

2、更高的雙面率

HIT電池由于其獨特的雙面對稱結(jié)構(gòu)使其更易于制作成雙面電池，目前雙面率在85％，而未來真正成熟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的時候，HIT雙面率有望達到95＋％的水平，這就意味著未來某個不走心的安裝工人把HIT組件正反面安反了，其實際發(fā)電功率也不會有太大損失。P－perc方面目前隆基已經(jīng)實現(xiàn)了82％的雙面率，這已經(jīng)非常了不起的成績了，但是由于其特殊的背面開槽的結(jié)構(gòu)，未來再把雙面率做高將會面對越來越多的困難。

3、更大的降成本潛力

HIT電池雖然目前成本更高，但是未來降本的空間十分巨大，而且我認為在相關(guān)條件成熟時，HIT組件的成本甚至有潛力低于P－perc組件，這重要是由于第一：HIT電池加工溫度低（240度）所使用到的硅片有潛力做到更薄，HIT電池未來真正成熟之際，可使用100微米厚度的硅片；而P－perc繼續(xù)降低硅片厚度的空間十分有限，由于其背部的鋁背場溫度系數(shù)和硅片溫度系數(shù)不同，過薄的P型硅片容易出現(xiàn)隱裂，此外P型電池擴散工藝的加工溫度為800～900度，過薄的硅片容易在高溫下翹邊。第二：除了硅片薄化的降本空間更大以外，HIT的工藝步驟也更為簡便，全部生產(chǎn)流程的工藝步驟僅為四步；而晶科P－perc電池為了實現(xiàn)23．9％的轉(zhuǎn)化效率要疊加多種工藝，工藝步驟在十步以上。

HIT組件成本可以做到更低的第三個原因重要來自于效率更高帶來的封裝成本的降低上。目前一張60型組件的含稅封裝成為約為220元／片，封裝成本重要包含光伏玻璃、EVA膠膜、鋁框、背板等等，降本空間有限，成本較為剛性。所以三年后HIT電池真正爆發(fā)之際，我們假設(shè)封裝成本依舊為220元／片依舊合理。三年后HIT電池真正爆發(fā)之際P－perc組件功率有望達到330W，而HIT組件的功率有望達到360W，僅比較正面功率的情況下，HIT組件單瓦封裝成本比Perc組件低220÷330－220÷360＝0．056，這就意味著未來HIT組件在單瓦封裝成本上可比perc組件低約6分錢。此處我們簡單總結(jié)一下，HIT組件未來得益于更薄的硅片、更少的加工步驟和更低的封裝成本，在克服設(shè)備環(huán)節(jié)的問題以后，單瓦成本有望更低。