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單片開(kāi)關(guān)電源原理及應(yīng)用

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1316次  |  2020年05月13日  

一、前言


開(kāi)關(guān)電源自20世紀(jì)70年代開(kāi)始應(yīng)用以來(lái),涌現(xiàn)出許多功能完備的集成控制電路,使開(kāi)關(guān)電源電路日益簡(jiǎn)化,工作頻率不斷提高,效率大大提高,并為電源小型化供應(yīng)了廣闊的前景。三端離線式脈寬調(diào)制單片開(kāi)關(guān)集成電路TOp(Threeterminaloffline)將pWM控制器與功率開(kāi)關(guān)MOSFET合二為一封裝在一起,已成為開(kāi)關(guān)電源IC發(fā)展的主流。采用TOp開(kāi)關(guān)集成電路設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源,可使電路大為簡(jiǎn)化,體積進(jìn)一步縮小,成本也明顯降低。


二、TOp開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)及工作原理


1、結(jié)構(gòu)


TOp開(kāi)關(guān)集各種控制功能、保護(hù)功能及耐壓700V的功率開(kāi)關(guān)MOSFET于一體,采用TO220或8腳DIp封裝。少數(shù)采用8腳封裝的TOp開(kāi)關(guān),除D、C兩引腳外,其余6腳實(shí)際連在一起,作為S端,故仍系三端器件。三個(gè)引出端分別是漏極端D、源極端S和控制端C。其中,D是內(nèi)裝MOSFET的漏極,也是內(nèi)部電流的檢測(cè)點(diǎn),起動(dòng)操作時(shí),漏極端由一個(gè)內(nèi)部電流源供應(yīng)內(nèi)部偏置電流。控制端C控制輸出占空比,是誤差放大器和反饋電流的輸入端。在正常操作時(shí),內(nèi)部的旁路調(diào)整端供應(yīng)內(nèi)部偏置電流,且能在輸入異常時(shí),自動(dòng)鎖定保護(hù)。源極端S是MOSFET的源極,同時(shí)是TOp開(kāi)關(guān)及開(kāi)關(guān)電源初級(jí)電路的公共接地點(diǎn)及基準(zhǔn)點(diǎn)。


2、工作原理


TOp包括10部分,其中Zc為控制端的動(dòng)態(tài)阻抗,RE是誤差電壓檢測(cè)電阻。RA與CA構(gòu)成截止頻率為7kHz的低通濾波器。重要特點(diǎn)是:(1)前沿消隱設(shè)計(jì),延遲了次級(jí)整流二級(jí)管反向恢復(fù)出現(xiàn)的尖峰電流沖擊;(2)自動(dòng)重起動(dòng)功能,以典型值為5%的自動(dòng)重起動(dòng)占空比接通和關(guān)斷;(3)低電磁干擾性(EMI),TOp系列器件采用了與外殼的源極相連,使金屬底座及散熱器的dv/dt=0,從而降低了電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制;(4)電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制。下面簡(jiǎn)要敘述一下:(1)控制電壓源控制電壓Uc能向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動(dòng)極供應(yīng)偏置電壓,而控制端電流Ic則能調(diào)節(jié)占空比。控制端的總電容用Ct表示,由它決定自動(dòng)重起動(dòng)的按時(shí),同時(shí)控制環(huán)路的補(bǔ)償,Uc有兩種工作模式,一種是滯后調(diào)節(jié),用于起動(dòng)和過(guò)載兩種情況,具有延遲控制用途;另一種是并聯(lián)調(diào)節(jié),用于分離誤差信號(hào)與控制電路的高壓電流源。剛起動(dòng)電路時(shí)由D-C極之間的高壓電流源供應(yīng)控制端電流Ic,以便給控制電路供電并對(duì)Ct充電。


(2)帶隙基準(zhǔn)電壓源帶隙基準(zhǔn)電壓源除向內(nèi)部供應(yīng)各種基準(zhǔn)電壓之外,還出現(xiàn)一個(gè)具有溫度補(bǔ)償并可調(diào)整的電流源,以保證精確設(shè)定振蕩器頻率和門極驅(qū)動(dòng)電流。


(3)振蕩器內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值UH、UL之間周期性地線性充放電,以出現(xiàn)脈寬調(diào)制器所要的鋸齒波(SAW),與此同時(shí)還出現(xiàn)最大占空比信號(hào)(Dmax)和時(shí)鐘信號(hào)(CLOCK)。為減小電磁干擾,提高電源效率,振蕩頻率(即開(kāi)關(guān)頻率)設(shè)計(jì)為100kHz,脈沖波形的占空比設(shè)定為D。


(4)放大器誤差放大器的增益由控制端的動(dòng)態(tài)阻抗Zc來(lái)設(shè)定。Zc的變化范圍是10Ω~20Ω,典型值為15Ω。誤差放大器將反饋電壓UF與5.7V基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后,輸出誤差電流Ir,在RE上形成誤差電壓UR。


(5)脈寬調(diào)制器(pWM)脈寬調(diào)制器是一個(gè)電壓反饋式控制電路,它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小,即可調(diào)節(jié)占空比D,實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器,濾掉開(kāi)關(guān)噪聲電壓之后,加至pWM比較器的同相輸入端,再與鋸齒波電壓UJ進(jìn)行比較,出現(xiàn)脈寬調(diào)制信號(hào)UB。


(6)門驅(qū)動(dòng)級(jí)和輸出級(jí)門驅(qū)動(dòng)級(jí)(F)用于驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)管(MOSFET),使之按一定速率導(dǎo)通,從而將共模電磁干擾減至最小。漏源導(dǎo)通電阻與產(chǎn)品型號(hào)和芯片結(jié)溫有關(guān)。MOSFET管的漏源擊穿電壓U(bo)ds≥700V。


(7)過(guò)流保護(hù)電路過(guò)流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT,同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外,芯片還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時(shí)可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A。


(8)過(guò)熱保護(hù)電路當(dāng)芯片結(jié)溫TJ>135℃時(shí),過(guò)熱保護(hù)電路就輸出高電平,將觸發(fā)器Ⅱ置位,Q=1,,關(guān)斷輸出級(jí)。此時(shí)進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式,Uc端波形也變成幅度為4.7V~5.7V的鋸齒波。若要重新起動(dòng)電路,需斷電后再接通電源開(kāi)關(guān);或者將控制端電壓降至3.3V以下,達(dá)到Uc(reset)值,再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零,使MOSFET恢復(fù)正常工作。


(9)關(guān)斷/自起動(dòng)電路一旦調(diào)節(jié)失控,關(guān)斷/自動(dòng)重起動(dòng)電路立即使芯片在5%占空比下工作,同時(shí)切斷從外部流入C端的電流,Uc再次進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除,Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式,自動(dòng)重新起動(dòng)電源恢復(fù)正常工作。自動(dòng)重起動(dòng)的頻率為1.2Hz。


(10)高壓電流源在起動(dòng)或滯后調(diào)節(jié)模式下,高壓電流源經(jīng)過(guò)電子開(kāi)關(guān)S1給內(nèi)部電路供應(yīng)偏置,并且對(duì)Ct進(jìn)行充電。電源正常工作時(shí)S1改接內(nèi)部電源,將高壓電流源關(guān)斷。


當(dāng)TOp開(kāi)關(guān)起動(dòng)操作時(shí),在控制端環(huán)路振蕩電路的控制下,漏極端有電流流入芯片,供應(yīng)開(kāi)環(huán)輸入。該輸入通過(guò)旁路調(diào)整器、誤差放大器時(shí),由控制端進(jìn)行閉環(huán)調(diào)整,改變Ir,經(jīng)由pWM控制MOSFET的輸出占空比,最后達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。


三、TOp開(kāi)關(guān)的典型應(yīng)用


1、12V/30W小功率開(kāi)關(guān)電源


12V/30W小功率開(kāi)關(guān)電源原理圖如圖2所示。該電源特性是:簡(jiǎn)單,直接可與220V交流電源連接,經(jīng)橋式整流電容濾波后出現(xiàn)300V直流高電壓起動(dòng)開(kāi)關(guān)電源工作。并且重量輕、體積小,接線簡(jiǎn)單外圍元件少。該電路特點(diǎn)是利用三極管Q1,二極管D8及電阻R5、R6組成過(guò)低壓保護(hù)電路,當(dāng)輸入電壓降低到一定程度時(shí),Q1導(dǎo)通,控制端C電位降低,TOp開(kāi)關(guān)關(guān)閉,開(kāi)關(guān)電源沒(méi)有輸出。


(1)輸入電路電網(wǎng)交流220V輸入電壓經(jīng)橋式整流、電容濾波后出現(xiàn)300V直流高壓起動(dòng)開(kāi)關(guān)電源工作。


(2)電源變換器部分在該電路中,T2為高頻變壓器,其中:N1為初級(jí)繞組(35T);N2為反饋繞組(15T);N3為次級(jí)隔離輸出繞組(7T)。


開(kāi)關(guān)電源工作后,反饋繞組N2經(jīng)整流、濾波、限流后送至TOp開(kāi)關(guān)控制極C,以調(diào)整TOp開(kāi)關(guān)內(nèi)部pWM占空比。當(dāng)因某種原因如負(fù)載變輕引起輸出電壓升高時(shí),N2電壓將升高,即流入TOp開(kāi)關(guān)控制端C的電流新增。在振蕩電路的控制下,漏極端D有電流流入芯片,供應(yīng)開(kāi)環(huán)輸入,該輸入通過(guò)旁路調(diào)整器、誤差放大器,由控制端進(jìn)行閉環(huán)調(diào)整,經(jīng)由pWM控制MOSFET的輸出占空比,使其占空比線性減小,從而使輸出電壓下降,最后達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,保持輸出穩(wěn)定。電路中并接于初級(jí)繞組N1兩端的瞬態(tài)電壓抑制二極管D5、電容C4及快速二極管D6組成鉗位削峰電路。鉗制電感放電脈沖的最高電位,減少漏感抗引起的漏極端電壓畸變。在實(shí)際繞制高頻電源變壓器時(shí),為了減小漏感的影響,可采用初級(jí)與次級(jí)相互交叉的繞制方法。同時(shí),采用自我屏蔽用途較為良好的罐形磁芯,將線圈都用磁芯封在里邊。


(3)反饋控制回路電容C6決定軟起動(dòng)恢復(fù)時(shí)間,C6、R5、R4、C5、D7決定控制回路的零點(diǎn)。R4阻值過(guò)小,限流線性差,容易導(dǎo)致TOp開(kāi)關(guān)損壞;過(guò)大則調(diào)整線性差。在實(shí)驗(yàn)中取值為10kΩ


(4)輸出回路


N3、D10、C8、D11構(gòu)成輸出回路。肖特基勢(shì)壘整流二極管D10對(duì)高頻變壓器次級(jí)的高頻方波電壓進(jìn)行整流,經(jīng)低ESR值的電解電容濾波及雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管D11削峰穩(wěn)壓后,供應(yīng)給負(fù)載電路。R7既可改善電源本身的輸出阻抗,又能小幅度地調(diào)整輸出電壓的范圍,同時(shí)又可在電源空載時(shí)為電容C8供應(yīng)放電回路。R7取值為430Ω。


2、12.5V/25W精密開(kāi)關(guān)電源


12.5V/25W精密開(kāi)關(guān)電源原理圖如圖3所示。由TOp204構(gòu)成隔離式+12.5V、2A(25W)開(kāi)關(guān)電源電路,該電源的特性為:當(dāng)交流輸入電壓U從85V變化到265V時(shí),電壓調(diào)整率為±0.2%;當(dāng)負(fù)載電流從10%(0.2A)變化到100%(2A)時(shí),負(fù)載調(diào)整率也達(dá)±0.2%,可與線性集成穩(wěn)壓電源相媲美。該電路的重要特點(diǎn)是利用一片TL431(IC3)與光電耦合器(IC2)構(gòu)成外部誤差放大器。它再與片內(nèi)誤差放大器配合使用,對(duì)控制電流進(jìn)行精細(xì)調(diào)整,從而大大提高了穩(wěn)壓性能。


四、結(jié)束語(yǔ)由于TOp芯片內(nèi)部完全集成了SMpS的全部功能,所以利用它設(shè)計(jì)出的開(kāi)關(guān)電源周期短,成本低,關(guān)于小功率電源,簡(jiǎn)單,體積小,重量輕。隨著TOp開(kāi)關(guān)系列的不斷發(fā)展與改進(jìn),其在開(kāi)關(guān)電源及其它應(yīng)用領(lǐng)域中必將有著更加燦爛的前景。


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