高頻開(kāi)關(guān)電源中用了多種磁元件，有一些基本的問(wèn)題還要研究解決。例如：

（1）隨著開(kāi)關(guān)電源的高頻化，在低頻下可以忽略的某些寄生參數(shù)，在高頻下將會(huì)對(duì)某些電路性能（如開(kāi)關(guān)尖峰能量、噪聲水平等）出現(xiàn)影響。尤其是磁元件的渦流、漏電感、繞組交流電阻Rac和分布電容等，在低頻和高頻下的表現(xiàn)有很大的差別。雖然磁理論的研究已經(jīng)有多年的歷史，但高頻磁技術(shù)理論作為電力電子學(xué)的學(xué)科前沿問(wèn)題，應(yīng)當(dāng)受到人們的廣泛重視。例如，磁心損耗的數(shù)學(xué)建模、磁滯回線的仿真建模、高頻磁元件的計(jì)算機(jī)仿真建模和CAD、高頻變壓器一維和二維仿真建模等。有待研究的問(wèn)題還有：高頻磁元件的設(shè)計(jì)決定了高效率開(kāi)關(guān)電源的性能、損耗分布和波形等，人們要的是希望給出設(shè)計(jì)準(zhǔn)則、方法、磁參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)與電路性能的依賴(lài)關(guān)系，明確設(shè)計(jì)的自由度與約束條件等。

（2）關(guān)于高頻磁性元件所用的磁性材料有如下的要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級(jí)頻率的磁性材料為人們所關(guān)注，如5～6ms超薄鈷基非晶態(tài)磁帶，1MHz（Bm=0.1T）時(shí)，比損耗僅為0.7～1W/cm3，是MnZn高頻鐵氧體的1/3～1/4。納米結(jié)晶軟磁薄膜（Fi1m）也在研究和開(kāi)發(fā)中應(yīng)用。

（3）研究磁電混合集成技術(shù)，如利用電感箔式繞組層間分布電容，實(shí)現(xiàn)磁性元件與電容混合集成；將鐵氧體或其他薄膜材料高密度集成在硅片上（FerriteONSi1icon），或?qū)⒐璨牧霞稍阼F氧體上（SilicononFerrite）等。