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基于TopswitchⅡ芯片開關(guān)電源理論設(shè)計與仿真

鉅大LARGE  |  點擊量:1106次  |  2020年05月18日  

引言


直流穩(wěn)壓電源是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要組成部分,好的直流電源系統(tǒng)是高質(zhì)量現(xiàn)代電子系統(tǒng)的重要保證。開關(guān)電源本身種類繁多,設(shè)計方法也復(fù)雜多樣,因此研究一種簡潔的方法去快速設(shè)計出所要的通用型高效率,低廉價格的開關(guān)電源是很有必要的。


1開關(guān)電源工作原理


開關(guān)直流穩(wěn)壓電源是基于方波電壓的平均值與其占空比成正比以及電感、電容電路的積分特性而形成的。其基本工作原理是,先對輸入交流電壓整流,從而形成脈動直流電壓,經(jīng)過DC-DC變換電路變壓,再通過斬波電路形成了不同脈沖寬度的高頻交流電,然后對其整流濾波輸出要電壓電流波形。假如輸出電壓波形偏離所需值,便有電流或電壓采樣電路進行取樣反饋,經(jīng)過與比較電路的電壓值進行參數(shù)比較,把差值信號放大,從而控制開關(guān)電路的脈沖頻率f和占空比D,以此來控制輸出端的導(dǎo)通狀態(tài)。因此,輸出端便可以得到所需的電壓電流值。


如圖1,將開關(guān)電源模塊劃分為以下幾個部分。


根據(jù)電力系統(tǒng)的實際要,通過對各個部分進行分析,便可以設(shè)計出相應(yīng)的開關(guān)電源產(chǎn)品。


圖1開關(guān)電源原理框圖。


2TopswitchⅡ簡介


TOpSwitchⅡ是pOWER公司生產(chǎn)的高集成的用于開關(guān)電源的專用芯片。它將功率開關(guān)管與其控制電路集成于一個芯片內(nèi),并具有自動復(fù)位,過熱保護與過流保護等功能,其功能原理圖如圖2所示。當(dāng)系統(tǒng)上電時,D引腳變?yōu)楦唠娢?,?nèi)部電流源開始工作且片內(nèi)開關(guān)在0位,TOpSwitch給并接在C引腳的電容C5(見圖2)充電。當(dāng)C5端電壓達到5.7V后,自動重起電路關(guān)閉,片內(nèi)開關(guān)跳到1位。C5一方面供應(yīng)TOpSwitch內(nèi)部控制電路的電源,使誤差放大器開始工作,另一方面供應(yīng)一反饋電流以控制開關(guān)管的占空比。MOSFET開關(guān)管的驅(qū)動信號由內(nèi)部振蕩電路、保護電路和誤差放大電路共同出現(xiàn)。C5兩端的電壓愈高,MOSFET開關(guān)管驅(qū)動脈沖的占空比愈小。


3TOpSwitch芯片的選型


在設(shè)計開關(guān)電源時,首先就要面對如何選擇合適的開關(guān)電源控制芯片。在選擇芯片的時候,要既能滿足要求,又不因為選型造成資源的浪費。下面就介紹利用TopswitchⅡ系列開關(guān)電源的功率損耗(pD)與電源效率(η),輸出功率(po)關(guān)系曲線,快速選擇芯片的型號,從而完成寬范圍輸入的通用開關(guān)電源的設(shè)計。


圖2TOpSwitch芯片內(nèi)部原理圖。


3.1pD,η,po關(guān)系曲線


寬范圍輸入的交流電壓為85~265V,在這種條件下,TOp221~TOp227系列單片開關(guān)電源的pD,η,po關(guān)系曲線如下,見圖3、圖4。


圖3寬范圍輸入且輸出為5V時pD,η,po關(guān)系曲線。


圖4寬范圍輸入且輸出為12V時pD,η,po關(guān)系曲線。


注意,這里假定交流輸入電壓最小值umin=85V,最高輸入電壓umax=265V.途中的橫坐標(biāo)代表輸出功率,而15條虛線均為芯片功耗的等值線。


首先確定適用的曲線圖,例如,當(dāng)u=85~265V,Uo=+5V時,應(yīng)該選擇圖3;當(dāng)u=220V(即230V-230V×4.3%),Uo=+12V時,就應(yīng)該選擇圖4;然后在橫坐標(biāo)上找出欲設(shè)計的功率輸出點po;從輸出功率點垂直向上移動,了解選中合適芯片所指的那條曲線。假如不適用,可以繼續(xù)向上查找另一條實線;然后從等值線(虛線)上讀出芯片的功耗pD,進而還可以求出芯片的結(jié)溫(Tj)以確定散熱片的大小。


例如,設(shè)計輸出5V,30W的通用開關(guān)電源時,就要選擇圖3.因為通用開關(guān)電源輸入交流電壓范圍85~265V.首先從橫坐標(biāo)上找到po=30W的輸出功率點,然后垂直上移,與TOp224的實線相交于一點,由縱坐標(biāo)上查出該點的η=71.2%,最后從經(jīng)過這點的那條等值線上,查得pD=2.5W.這表明,選擇TOp224就能輸出30W功率,并且預(yù)期的電源效率為71.2%,芯片功耗為2.5W.假如覺得指標(biāo)效率偏低,還可以繼續(xù)往上查TOp225的實線。同理,選擇TOp225也能輸出30W的功率,而預(yù)期的電源效率可以提高到75%,芯片功耗可以降低1.7W.然后根據(jù)所得到的pD值,還可以進而完成散熱片設(shè)計。


3.2等效輸出功率的修正


pD,η,po關(guān)系曲線均對交流輸入電壓的最小值進行了限制,umin=85V.假如交流輸入電壓最小值不符合上述的要求,就會直接影響芯片的正確選擇。此時必須從實際的交流輸入電壓u?min最小值對應(yīng)的功率p‘o折算成umin為規(guī)定值時的等效功率po,才能使用上面的圖。功率修正的方法如下:選擇使用的特性曲線,然后根據(jù)已知的u’min值查出折算系數(shù)K;將p‘o折算成umin為規(guī)定值時的等效功率po,表達公式po=p’o/K;然后從圖3、圖4中選用適當(dāng)?shù)年P(guān)系曲線。


圖5寬范圍輸入時K與u‘min的關(guān)系。


例如設(shè)計12V,35W的通用開關(guān)電源,已知umin=90%×115V=103.5V.從圖5中查出K=1.15.將p’o=3.5W,K=1.15帶入po=p‘o/K中,計算出po=30.4W;再根據(jù)po的值,從圖4中查出選擇的最佳型號是TOp224芯片,此時η=81.6%,pD=2W.假如選擇了TOp223,則η降到73.5%,pD新增到5W,顯然不合適。假如選擇TOp225型,就會造成資源浪費,因為它比TOp224的價格要高一些,而且適合輸出40~60W的更大的功率。


4重要元件參數(shù)計算


4.1變壓器變比的設(shè)計


開關(guān)變壓器的變比與開關(guān)變換電路的具體形式有關(guān),正激、半橋變換電路中開關(guān)變壓器的變比公式為:


式中,Uin,Uout分別為開關(guān)變壓器的輸入和輸出電壓;Nin,Nout分別為開關(guān)變壓器初級和次級線圈的匝數(shù)。


當(dāng)輸入電壓最低時,實際設(shè)計時應(yīng)該按最低輸入電壓代入計算。


推挽電路的輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系公式為:


Uout=2DUin/n


因此得到關(guān)系式:n=2DUin/Uout=N1/N2.


輸入電壓最低時,占空比D值最大,這時候仍然能保持設(shè)計要求的輸出電壓,所以上式的D應(yīng)取最大值,Uin取最小值。


4.2輸入濾波電容的選擇


輸入濾波電容器C的容量與電源效率,輸出功率密切相關(guān),關(guān)于寬范圍輸入的開關(guān)電源,C的容量取μF為單位時,可按比例系數(shù)3μF/W來選取。例如當(dāng)po=30W時,C=(3μF/W)×30W=90μF,以此類推。在固定輸入時,比例系數(shù)變成1μF/W,上例中的C就變成30μF.在設(shè)計開關(guān)電源時還要注意C的容量誤差要盡量小,以免影響開關(guān)電源的性能。當(dāng)C的容量過小時,會降低TopswitchⅡ的可用功率。假如把30μF改成20μF,則輸出功率會降低15%;當(dāng)C《20μF時,會造成可用功率的明顯下降。


另外,C容量的大小還決定直流高壓Ui的數(shù)值,圖3、圖4實際上是在Ui=105V的情況下繪制的,這個充分體現(xiàn)了C對Ui的影響。


4.3開關(guān)管保護電路


在開關(guān)芯片的漏極D側(cè)可以利用VDZ和VD兩個二極管對高頻變壓器的漏感出現(xiàn)的尖峰電壓進行箝位,可保護μ的D-S極間不被擊穿。例如VDZ可以選用瞬態(tài)電壓抑制器p6K200,其反向擊穿電壓為200V.VD采用反向耐壓為600V的UF4005型超快恢復(fù)二極管,亦稱阻塞二極管。


5應(yīng)用電路及其仿真


圖6給出了由TOpSwitch構(gòu)成的反激式電源的原理圖。其工作過程如下:輸入交流電經(jīng)整流橋br1整流后再經(jīng)電容C1濾波,變?yōu)槊}動的直流電。


反激式變壓器與TOpSwitch將存儲于電容C1的能量傳遞給負(fù)載。當(dāng)TOpswitch開關(guān)管導(dǎo)通時,電容C1兩端的電壓加到反激變壓器的原邊,流過原邊繞組的電流線性新增(如若在MOSFET開關(guān)管導(dǎo)通的瞬間變壓器副邊電流不為零,則由于副邊感應(yīng)電勢反向,二極管D2截止,副邊電流變?yōu)榱?,然而磁芯?nèi)的能量不能突變,故原邊電流躍變?yōu)楦边呺娏鞯?/K,K為變壓器變比),變壓器儲存能量;當(dāng)MOSFET開關(guān)管關(guān)斷時,電感原邊電流由于沒有回路(此時,穩(wěn)壓管VR1的擊穿電壓因高于原變壓器的感應(yīng)電勢而截止)而突變?yōu)榱?,變壓器通過副邊續(xù)流,副邊電流為TOpswitch開關(guān)管關(guān)斷時原邊電流的K倍,副邊繞組通過二極管D2對電容C2充電,此后,流過變壓器副邊的電流線性下降。二極管D1與穩(wěn)壓管VR1并接于變壓器的原邊以吸收由于變壓器原邊的漏感而出現(xiàn)的高壓毛刺。電阻R1、穩(wěn)壓管VR2、光耦U2與電容C5構(gòu)成了電壓反饋電路以保證輸出電壓穩(wěn)定。電阻R2與VR2構(gòu)成一假負(fù)載,以保證當(dāng)電源空載或輕載時輸出電壓穩(wěn)定。電感L1與電容C3構(gòu)成LC濾波器以防止輸出電壓脈動過大。二極管D3與電容C4構(gòu)成一整流電路以供應(yīng)光耦U2光電三極管的偏置電壓。電感L2、電容C6和C7用于降低系統(tǒng)的電磁干擾(EMI)。


圖6反激式電源的應(yīng)用原理圖。


圖7分別給出了輸入電壓220V(交流),輸出功率為40W;輸入電壓85V(交流),輸出功率為24W和輸入電壓85V(交流),輸出功率為40W時的輸出電壓波形。


圖7不同電壓輸入條件下的電壓仿真輸出波形


6結(jié)論


理論設(shè)計和仿真結(jié)果表明,基于topswitch芯片設(shè)計的開關(guān)電源,輸出波形較為穩(wěn)定,而且電磁兼容性好,抗干擾能力強,適合小功率開關(guān)電源的設(shè)計制造。


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