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新型DC-DC開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì):在DSP系統(tǒng)中延長(zhǎng)電池壽命

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1031次  |  2020年05月29日  

引言


長(zhǎng)期以來(lái),Mp3播放器、個(gè)人媒體播放器、數(shù)碼相機(jī)以及其他便攜式消費(fèi)類應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面對(duì)的一項(xiàng)挑戰(zhàn)是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高性能和低功耗。這些電池供電系統(tǒng)通常都使用嵌入式數(shù)字信號(hào)處理器(DSp),當(dāng)系統(tǒng)處理多媒體應(yīng)用任務(wù)時(shí),DSp能達(dá)到最大處理能力,而當(dāng)系統(tǒng)處于睡眠模式時(shí),DSp具有最小的功耗。電池壽命在手持式產(chǎn)品中是非常重要的指標(biāo),產(chǎn)品成功與否與供電系統(tǒng)的效率直接相關(guān)。


此類系統(tǒng)中的一個(gè)關(guān)鍵部件是降壓式DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,它能夠高效地從較高電壓獲得較低的供電電壓,如從4.5V獲得1V的供電電壓。作為穩(wěn)壓器,其必須保持恒定的電壓,而且能夠?qū)斎腚妷旱淖兓约柏?fù)載電流的變化迅速做出響應(yīng)。本文將討論的架構(gòu)具有優(yōu)良的穩(wěn)壓性能以及高效率和快速響應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。


開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器剖析


圖1示出了ADI公司ADp2102的典型應(yīng)用電路,這是一款低占空比、3MHz同步整流降壓轉(zhuǎn)換器。ADp2102具有固定輸出電壓和可調(diào)輸出電壓的多種配置。這里將ADp2102連接成固定輸出電壓配置,由5.5V的輸入電壓出現(xiàn)300mA、0.8V輸出電壓。接下來(lái)給出輸出電壓可調(diào)的應(yīng)用示例。


圖1.使用ADp2102由5.5V輸入出現(xiàn)0.8V輸出


這里將簡(jiǎn)單地解釋該電路的工作原理:將DC輸出電壓的分壓與誤差放大器中的內(nèi)部參考源比較,然后將誤差放大器的輸出與電流采樣放大器的輸出比較,以驅(qū)動(dòng)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器在由VOUT/VIN確定的時(shí)間周期內(nèi)處于暫穩(wěn)態(tài)。單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器使上面的門控晶體管導(dǎo)通,電感L1中的電流逐漸變大。當(dāng)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的暫穩(wěn)態(tài)結(jié)束時(shí),晶體管截止,電感L1中的電流逐漸變小。在由最小關(guān)斷時(shí)間按時(shí)器和最?。ā肮戎怠保╇娏鞔_定的時(shí)間間隔之后,單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器再次被觸發(fā)。芯片內(nèi)的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)按時(shí)器使用輸入電壓前饋,使得穩(wěn)態(tài)時(shí)保持恒定的頻率。


該振蕩以不確定的頻率(大約為3MHz)持續(xù)進(jìn)行,但是在必要的情況下可以響應(yīng)線路和負(fù)載的瞬態(tài)變化而偏離該頻率,以便輸出電壓保持恒定,并且使電感電流的平均值保持在輸出負(fù)載所要的電流值。


上文描述的方法是相對(duì)新穎的。多年來(lái),DC-DC變換的重要方法是恒頻峰值電流方法,當(dāng)該方法在降壓式DC-DC轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)時(shí),其還被稱為后沿調(diào)制。有關(guān)該方法的詳細(xì)描述、對(duì)其優(yōu)缺點(diǎn)的評(píng)估以及上文描述的恒定導(dǎo)通時(shí)間谷值電流模式轉(zhuǎn)換器,請(qǐng)參考其他技術(shù)文章。


ADp2012還具有欠壓閉鎖功能、軟啟動(dòng)功能、過(guò)熱保護(hù)功能和短路保護(hù)功能,并且具有±1%的反饋精度。該架構(gòu)能夠使主開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間低至60ns或更低。


圖2示出了不同條件下的典型波形。圖2a示出了在ILOAD=600mA,電壓從VIN=5.5V減小到VOUT=0.8V時(shí)的低占空比。如圖中所示,在3MHz的開(kāi)關(guān)頻率下,可以獲得45ns的最小導(dǎo)通時(shí)間。


圖2b示出了負(fù)載電流突增300mA時(shí),負(fù)載電流和電感電流波形。


圖2c示出了負(fù)載電流突減300mA時(shí),負(fù)載電流和電感電流波形。


圖2d示出了在占空比為50%時(shí)不存在次諧波振蕩,而使用峰值電流模式控制時(shí)必須在設(shè)計(jì)時(shí)加以考慮。當(dāng)占空比大于或小于50%時(shí),同樣不存在次諧波振蕩。


圖2a.VIN=5.5V,VOUT=0.8V,最小導(dǎo)通時(shí)間=45ns


圖2b.突加負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(ILOAD=300mA)


圖2c.突減負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)(ILOAD=300mA)


圖2d.占空比=50%,VIN=3.3V,VOUT=1.8V,ILOAD=300mA


DSp應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)


在使用DSp的便攜式應(yīng)用中,通常由開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器供應(yīng)DSp的內(nèi)核電壓和I/O電壓,這要使用電池供電應(yīng)用的高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器。供應(yīng)內(nèi)核電壓的穩(wěn)壓器必須能夠基于處理器的時(shí)鐘速度動(dòng)態(tài)改變電壓或者按照軟件的指令動(dòng)態(tài)改變電壓。另外,整體解決方法的小尺寸也同樣重要。


這里描述的是,在電池供電的應(yīng)用中將Blackfin?處理器的內(nèi)部穩(wěn)壓器更換為外部高效率穩(wěn)壓器,以提高系統(tǒng)供電效率。而且,這里還介紹了用于外部穩(wěn)壓器的控制軟件。


動(dòng)態(tài)電源管理


處理器的功耗與工作電壓(VCORE)的平方成正比,并且與工作頻率(FSW)成正比。因此,降低頻率能夠使動(dòng)態(tài)功耗線性下降,而降低內(nèi)核電壓可以使動(dòng)態(tài)功耗指數(shù)下降。


在對(duì)功耗敏感的應(yīng)用中,當(dāng)DSp僅簡(jiǎn)單地監(jiān)視系統(tǒng)活動(dòng)或者等待外部觸發(fā)信號(hào)時(shí),在保持供電電壓不變的情況下改變時(shí)鐘頻率,這對(duì)降低功耗是非常有用的。然而,在高性能電池供電的應(yīng)用中,僅改變頻率并不能顯著節(jié)約電能。Blackfin處理器以及其他的具有高級(jí)電源管理功能的DSp可以依次改變內(nèi)核電壓和頻率,由此可以在任何情況下均實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的電池利用。


ADSp-BF53x系列Blackfin處理器中的動(dòng)態(tài)電壓的穩(wěn)壓通常是由內(nèi)部電壓控制器和外部MOSFET實(shí)現(xiàn)的。該方法的優(yōu)點(diǎn)在于,可以將單電壓(VDDEXT)施加到DSp子系統(tǒng),從MOSFET得到的所需的內(nèi)核電壓(VDDINT)。通過(guò)內(nèi)部寄存器可以軟件控制內(nèi)核電壓,以便于控制MIpS,并且最終控制能耗,由此實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的電池壽命。


為了完整地實(shí)現(xiàn)Blackfin內(nèi)部穩(wěn)壓方法,要一個(gè)外部MOSFET、肖特基二極管、大電感和多個(gè)輸出電容器,該解決方法價(jià)格相對(duì)昂貴,效率卻很差,而且占用的pCB板面積是相對(duì)較大的,這給系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了很大的矛盾,在集成穩(wěn)壓器中要使用大電感和電容器,不利于消費(fèi)者所希望的便攜式設(shè)備盡可能小型化。該集成穩(wěn)壓控制器的效率是相對(duì)較低,通常僅為50%~70%,因此該方法不太適用于高性能手持式電池供電應(yīng)用。


外部穩(wěn)壓


通過(guò)新型DC-DC開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方法,可以將Blackfin集成方法本身的效率提高到90%或更高。而且,在使用外部穩(wěn)壓器時(shí)可以減小外部元件的尺寸。


還可以使用多種動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整(DVS)控制方法,包括開(kāi)關(guān)電阻器(其在某些情況中可由DAC實(shí)現(xiàn))和脈寬調(diào)制(pWM)(其可以實(shí)現(xiàn)與內(nèi)部方法相同的精度)。不論使用哪種方法,其必須能夠通過(guò)軟件控制改變穩(wěn)壓電平。上述穩(wěn)壓控制方法在內(nèi)部穩(wěn)壓器是集成的,而在外部穩(wěn)壓中必須通過(guò)外加器件來(lái)實(shí)現(xiàn)。


本文描述了兩種使用ADp2102同步DC-DC轉(zhuǎn)換器調(diào)節(jié)DSp內(nèi)核電壓的方法,當(dāng)處理器在低時(shí)鐘速度下運(yùn)行時(shí),可動(dòng)態(tài)地將內(nèi)核電壓從1.2V調(diào)節(jié)到1.0V。


ADp2102高速同步開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器在由2.7V~5.5V的電池電壓供電時(shí),可以使內(nèi)核電壓低到0.8V。其恒定導(dǎo)通時(shí)間的電流模式控制以及3MHz開(kāi)關(guān)頻率供應(yīng)了優(yōu)良的動(dòng)態(tài)響應(yīng)、非常高的效率和出色的源調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。較高的開(kāi)關(guān)頻率允許系統(tǒng)使用超小型多層電感和陶瓷電容器。ADp2102采用3mm×3mmLFCSp封裝,節(jié)約了空間,僅要三或四個(gè)外部元件。而且ADp2102包括完善的功能,諸如各種安全特點(diǎn),如欠壓閉鎖、短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)。


圖3示出了實(shí)現(xiàn)DVS的電路。ADSp-BF533EZ-KITLite?評(píng)估板上的3.3V電源為降壓轉(zhuǎn)換器ADp2102供電,使用外部電阻分壓器R1和R2將ADp2102的輸出電壓設(shè)定為1.2V。DSp的GpIO引腳用于選擇所需的內(nèi)核電壓。改變反饋電阻值可以在1.2V~1.0V的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)內(nèi)核電壓。通過(guò)與R2并聯(lián)的電阻R3,N溝MOSFET可以修改分壓器。相比于R3,IRLML2402的RDSon較小,僅為0.25Ω。3.3V的GpIO電壓用于驅(qū)動(dòng)MOSFET的柵極。為了獲得更好的瞬態(tài)性能并改善負(fù)載調(diào)整率,要加入前饋電容器CFF。


圖3.使用外部MOSFET和BlackfinpWM控制進(jìn)行ADp2102的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整


關(guān)于雙電平開(kāi)關(guān),一般的應(yīng)用要求是:


DSp內(nèi)核電壓(VOUT1)=1.2V


DSp內(nèi)核電壓(VOUT2)=1.0V


輸入電壓=3.3V


輸出電流=300mA


使用高阻值的分壓電阻可將功率損失降到最低。前饋電容在開(kāi)關(guān)過(guò)程中降低柵漏電容的影響。通過(guò)使用較小的反饋電阻和較大的前饋電容可以使該暫態(tài)過(guò)程中引起的過(guò)沖或下沖最小,但這是以額外的功耗為代價(jià)的。


圖4示出了輸出電流IOUT、輸出電壓VOUT和控制電壓VSEL。VSEL為低電平時(shí),輸出電壓為1.0V,VSEL為高電平時(shí),輸出電壓為1.2V。


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