硅光電池的分類

1、晶體硅光電池

晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類，用p型（或n型）硅襯底，通過磷（或硼）擴散形成pn結(jié)成制作，生產(chǎn)技術(shù)成熟，是光伏市場上的主導產(chǎn)品。采用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、優(yōu)化背電極及接觸電極等技術(shù)，提高材料中的載流子收集效率，優(yōu)化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉(zhuǎn)換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限，目前比較大的為∮10至20cm的圓片，年產(chǎn)量力46MW/a。

2、非晶硅光電池

a－Si（非晶硅）光電池一般采用高頻輝光放電方法使硅烷氣體分解沉積而成。由于外解沉積溫度低，可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積約1μm厚的薄膜，易于大面積化（05rn&TImes;l.0m），成本較低，多采用pin結(jié)構(gòu)。為提高效率和改善穩(wěn)定性，有時還制成三層pin等多層疊層式結(jié)構(gòu)，或是插入一些過渡層。其商品化產(chǎn)量持續(xù)上升，年產(chǎn)量力45MW／a，10MW生產(chǎn)線已投入生產(chǎn)，全球市場用量每月在1千萬片左右，居薄膜電池首位

3、多晶硅光電池

p－Si（多晶硅，包括微品）光電池沒有光致衰退效應，材料質(zhì)量有所下降時也不會導致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p－Si光電池轉(zhuǎn)換效率為15.3％，經(jīng)減薄襯底，加強陷光等加工，可提高到23.7［%］，用CVD法制備的轉(zhuǎn)換效率約為12.6l7.3［%］。采用廉價襯底的psi薄膜生長方法有pECVD和熱絲法，或?qū)si：H材料膜進行后退火，達到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8［%］和9.2［%］的無退化電池。微晶硅薄膜生長與asi工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7％大面積低溫psi膜與si組成疊層電池結(jié)構(gòu)，是提高比aS光電池穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計算表明其效率可在28％以上，將使硅基薄膜光電池性能出現(xiàn)突破性進展。銅煙硒光電池CIS（銅鎖硒）薄膜光電池己成為國際先伏界研究開發(fā)的熱門課題，它具有轉(zhuǎn)換效率高（已達到17.7％），性能穩(wěn)定，制造成本低的特點。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構(gòu)成的，厚度可做到2－3μrn，吸收層CIS膜對電池性能起著決定性用途。