一、中國半導(dǎo)體器件型號命名方法

半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、pIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-p型鍺材料、C-N型硅材料、D-p型硅材料。表示三極管時：A-pNp型鍺材料、B-NpN型鍺材料、C-pNp型硅材料、D-NpN型硅材料。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。p-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,pc<1W）、D-低頻大功率管（f<3MHz,pc>1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,pc>1W）、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、pIN-pIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用數(shù)字表示序號

第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號

例如：3DG18表示NpN型硅材料高頻三極管

日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。

第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-pNp型高頻管、B-pNp型低頻管、C-NpN型高頻管、D-NpN型低頻管、F-p控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-p溝道場效應(yīng)管、K-N溝道場效應(yīng)管、M-雙向可控硅。

第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。

第五部分：用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。

美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

三、美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：

第一部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非特種品。

第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。

第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。

第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示pNp硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA注冊標(biāo)志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

四、國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法

德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、p-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。

第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。

第四部分：用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。

除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下：

1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。

2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。

如：BDX51-表示NpN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示pNp鍺高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。

第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件

第二部分：A-二極管、C-三極管、Ap-光電二極管、Cp-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、Rp-光電器件。

第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。

第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。

俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。

一、半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義

CT---勢壘電容

Cj---結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

Cjv---偏壓結(jié)電容

Co---零偏壓電容

Cjo---零偏壓結(jié)電容

Cjo/Cjn---結(jié)電容變化

Cs---管殼電容或封裝電容

Ct---總電容

CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC---電容溫度系數(shù)

Cvn---標(biāo)稱電容

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

IF（AV）---正向平均電流

IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。

IH---恒定電流、維持電流。

Ii---發(fā)光二極管起輝電流

IFRM---正向重復(fù)峰值電流

IFSM---正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）

Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

IF(ov)---正向過載電流

IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID---暗電流

IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

IEM---發(fā)射極峰值電流

IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

ICM---最大輸出平均電流

IFMp---正向脈沖電流

Ip---峰點電流

IV---谷點電流

IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流

IGFM---控制極正向峰值電流

IR（AV）---反向平均電流

IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM---反向峰值電流

IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流

IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

IRRM---反向重復(fù)峰值電流

IRSM---反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）

Irp---反向恢復(fù)電流

Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

Izk---穩(wěn)壓管膝點電流

IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流

IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF---正向總瞬時電流

iR---反向總瞬時電流

ir---反向恢復(fù)電流

Iop---工作電流

Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f---頻率

n---電容變化指數(shù)；電容比

Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）

δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt---通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

pB---承受脈沖燒毀功率

pFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?br/>
pFTM---正向峰值耗散功率

pFT---正向?qū)偹矔r耗散功率

pd---耗散功率

pG---門極平均功率

pGM---門極峰值功率

pC---控制極平均功率或集電極耗散功率

pi---輸入功率

pK---最大開關(guān)功率

pM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

pMp---最大漏過脈沖功率

pMS---最大承受脈沖功率

po---輸出功率

pR---反向浪涌功率

ptot---總耗散功率

pomax---最大輸出功率

psc---連續(xù)輸出功率

pSM---不重復(fù)浪涌功率

pZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

RE---射頻電阻

RL---負(fù)載電阻

Rs(rs)----串聯(lián)電阻

Rth----熱阻

R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻

Rz(ru)---動態(tài)電阻

R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻

rδ---衰減電阻

r(th)---瞬態(tài)電阻

Ta---環(huán)境溫度

Tc---殼溫

td---延遲時間

tf---下降時間

tfr---正向恢復(fù)時間

tg---電路換向關(guān)斷時間

tgt---門極控制極開通時間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最高結(jié)溫

ton---開通時間

toff---關(guān)斷時間

tr---上升時間

trr---反向恢復(fù)時間

ts---存儲時間

tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

a---溫度系數(shù)

λp---發(fā)光峰值波長

△λ---光譜半寬度

η---單結(jié)晶體管分壓比或效率

VB---反向峰值擊穿電壓

Vc---整流輸入電壓

VB2B1---基極間電壓

VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB---飽和壓降

VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF---正向壓降（正向直流電壓）

△VF---正向壓降差

VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VGT---門極觸發(fā)電壓

VGD---門極不觸發(fā)電壓

VGFM---門極正向峰值電壓

VGRM---門極反向峰值電壓

VF（AV）---正向平均電壓

Vo---交流輸入電壓

VOM---最大輸出平均電壓

Vop---工作電壓

Vn---中心電壓

Vp---峰點電壓

VR---反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）---擊穿電壓

Vth---閥電壓（門限電壓）

VRRM---反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM---反向工作峰值電壓

Vv---谷點電壓

Vz---穩(wěn)定電壓

△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs---通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av---電壓溫度系數(shù)

Vk---膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

VL---極限電壓

二、雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義

Cc---集電極電容

Ccb---集電極與基極間電容

Cce---發(fā)射極接地輸出電容

Ci---輸入電容

Cib---共基極輸入電容

Cie---共發(fā)射極輸入電容

Cies---共發(fā)射極短路輸入電容

Cieo---共發(fā)射極開路輸入電容

Cn---中和電容（外電路參數(shù)）

Co---輸出電容

Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容

Coe---共發(fā)射極輸出電容

Coeo---共發(fā)射極開路輸出電容

Cre---共發(fā)射極反饋電容

Cic---集電結(jié)勢壘電容

CL---負(fù)載電容（外電路參數(shù)）

Cp---并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）

BVcbo---發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓

BVceo---基極開路，CE結(jié)擊穿電壓

BVebo---集電極開路EB結(jié)擊穿電壓

BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓

BVcer---基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓

D---占空比

fT---特征頻率

fmax---最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時的工作頻率

hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)

hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗

hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)

hRE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)

hie---共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗

hre---共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)

hfe---共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)

hoe---共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納

IB---基極直流電流或交流電流的平均值

Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值

IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值

Icbo---基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流

Iceo---發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流

Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Ices---發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Icex---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。

IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值

ICMp---集電極最大允許脈沖電流

ISB---二次擊穿電流

IAGC---正向自動控制電流

pc---集電極耗散功率

pCM---集電極最大允許耗散功率

pi---輸入功率

po---輸出功率

posc---振蕩功率

pn---噪聲功率

ptot---總耗散功率

ESB---二次擊穿能量

rbb'---基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）

rbb'Cc---基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴展電阻與集電結(jié)電容量的乘積

rie---發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻

roe---發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻

RE---外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）

RB---外接基極電阻（外電路參數(shù)）

Rc---外接集電極電阻（外電路參數(shù)）

RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）

RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）

RG---信號源內(nèi)阻

Rth---熱阻

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Ts---結(jié)溫

Tjm---最大允許結(jié)溫

Tstg---貯存溫度

td----延遲時間

tr---上升時間

ts---存貯時間

tf---下降時間

ton---開通時間

toff---關(guān)斷時間

VCB---集電極-基極（直流）電壓

VCE---集電極-發(fā)射極（直流）電壓

VBE---基極發(fā)射極（直流）電壓

VCBO---基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VEBO---基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEO---發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCER---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓

VCES---發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEX---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓

Vp---穿通電壓。

VSB---二次擊穿電壓

VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VEE---發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VCE(sat)---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降

VBE(sat)---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）

VAGC---正向自動增益控制電壓

Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值

Vn---噪聲電壓

Cj---結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

Cjv---偏壓結(jié)電容

Co---零偏壓電容

Cjo---零偏壓結(jié)電容

Cjo/Cjn---結(jié)電容變化

Cs---管殼電容或封裝電容

Ct---總電容

CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC---電容溫度系數(shù)

Cvn---標(biāo)稱電容

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

IF（AV）---正向平均電流

IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。

IH---恒定電流、維持電流。

Ii---發(fā)光二極管起輝電流

IFRM---正向重復(fù)峰值電流

IFSM---正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）

Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

IF(ov)---正向過載電流

IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID---暗電流

IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

IEM---發(fā)射極峰值電流

IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

ICM---最大輸出平均電流

IFMp---正向脈沖電流

Ip---峰點電流

IV---谷點電流

IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流

IGFM---控制極正向峰值電流

IR（AV）---反向平均電流

IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM---反向峰值電流

IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流

IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

IRRM---反向重復(fù)峰值電流

IRSM---反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）

Irp---反向恢復(fù)電流

Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

Izk---穩(wěn)壓管膝點電流

IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流

IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF---正向總瞬時電流

iR---反向總瞬時電流

ir---反向恢復(fù)電流

Iop---工作電流

Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f---頻率

n---電容變化指數(shù)；電容比

Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）

δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt---通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

pB---承受脈沖燒毀功率

pFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?br/>
pFTM---正向峰值耗散功率

pFT---正向?qū)偹矔r耗散功率

pd---耗散功率

pG---門極平均功率

pGM---門極峰值功率

pC---控制極平均功率或集電極耗散功率

pi---輸入功率

pK---最大開關(guān)功率

pM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

pMp---最大漏過脈沖功率

pMS---最大承受脈沖功率

po---輸出功率

pR---反向浪涌功率

ptot---總耗散功率

pomax---最大輸出功率

psc---連續(xù)輸出功率

pSM---不重復(fù)浪涌功率

pZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

RE---射頻電阻

RL---負(fù)載電阻

Rs(rs)----串聯(lián)電阻

Rth----熱阻

R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻

Rz(ru)---動態(tài)電阻

R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻

rδ---衰減電阻

r(th)---瞬態(tài)電阻

Ta---環(huán)境溫度

Tc---殼溫

td---延遲時間

tf---下降時間

tfr---正向恢復(fù)時間

tg---電路換向關(guān)斷時間

tgt---門極控制極開通時間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最高結(jié)溫

ton---開通時間

toff---關(guān)斷時間

tr---上升時間

trr---反向恢復(fù)時間

ts---存儲時間

tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

a---溫度系數(shù)

λp---發(fā)光峰值波長

△λ---光譜半寬度

η---單結(jié)晶體管分壓比或效率

VB---反向峰值擊穿電壓

Vc---整流輸入電壓

VB2B1---基極間電壓

VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB---飽和壓降

VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF---正向壓降（正向直流電壓）

△VF---正向壓降差

VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VGT---門極觸發(fā)電壓

VGD---門極不觸發(fā)電壓

VGFM---門極正向峰值電壓

VGRM---門極反向峰值電壓

VF（AV）---正向平均電壓

Vo---交流輸入電壓

VOM---最大輸出平均電壓

Vop---工作電壓

Vn---中心電壓

Vp---峰點電壓

VR---反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）---擊穿電壓

Vth---閥電壓（門限電壓）

VRRM---反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM---反向工作峰值電壓

Vv---谷點電壓

Vz---穩(wěn)定電壓

△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs---通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av---電壓溫度系數(shù)

Vk---膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

VL---極限電壓

三、場效應(yīng)管參數(shù)符號意義

Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-源電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容

D---占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)）

di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）

dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）

ID---漏極電流（直流）

IDM---漏極脈沖電流

ID(on)---通態(tài)漏極電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時，漏極電流

IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）

IG---柵極電流（直流）

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開路時，截止柵電流

IGSO---漏極開路時，截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGp---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時截止柵電流

IDSS1---對管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）

gfs---正向跨導(dǎo)

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GpD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導(dǎo)

gds---漏源電導(dǎo)

K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)

Ku---傳輸系數(shù)

L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）

LD---漏極電感

Ls---源極電感

rDS---漏源電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）

RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）

R(th)jc---結(jié)殼熱阻

R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻

pD---漏極耗散功率

pDM---漏極最大允許耗散功率

pIN--輸入功率

pOUT---輸出功率

ppK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）

to(on)---開通延遲時間

td(off)---關(guān)斷延遲時間

TI---上升時間

ton---開通時間

toff---關(guān)斷時間

tf---下降時間

trr---反向恢復(fù)時間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最大允許結(jié)溫

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

VDS---漏源電壓（直流）

VGS---柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VGS(th)---開啟電壓或閥電壓

V（BR）DSS---漏源擊穿電壓

V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

VDS(sat)---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

VGu---柵襯底電壓（直流）

Zo---驅(qū)動源內(nèi)阻

η---漏極效率（射頻功率管）

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數(shù)

ards---漏源電阻溫度系數(shù)