雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器使用最少用于LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的外部元件

pCIM20179號(hào)廳342號(hào)展位-德國(guó)紐倫堡2017年5月16日推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ONSemiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出了先進(jìn)的同步整流（SR）控制器優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。FAN6248需用的額外元件最少，提供高能效，簡(jiǎn)化熱管理，提升整體系統(tǒng)可靠性，和簡(jiǎn)化LLC電源的設(shè)計(jì)。

FAN6248是用于現(xiàn)代高性能電源單元（pSU）的一個(gè)理想方案，這些應(yīng)用要求在一個(gè)小的空間提供高可靠性和能效。典型應(yīng)用包括服務(wù)器和臺(tái)式電腦、游戲機(jī)、大屏LCDTV和OLEDTV、網(wǎng)絡(luò)、電信和LED照明。

該器件采用先進(jìn)混合的SR控制法，結(jié)合瞬時(shí)漏電壓檢測(cè)與以前的開關(guān)周期信息。單獨(dú)的100V額定值檢測(cè)輸入準(zhǔn)確地檢測(cè)到兩個(gè)SRMOSFET兩端的漏源電壓，支持次級(jí)繞組中的任何不對(duì)稱或不良耦合。FAN6248采用這種先進(jìn)的控制法，防止電流反向和避免由于電容電流尖峰誤觸發(fā)SR，提供高度可靠的工作。在控制器內(nèi)的反擊穿控制增強(qiáng)pSU的可靠性和防止同時(shí)導(dǎo)通兩個(gè)SRMOSFET的潛在破壞性。

FAN6248和僅兩個(gè)外部電阻及MOSFET成就一個(gè)支持達(dá)800W的簡(jiǎn)單LLC轉(zhuǎn)換器。尤其在嘈雜的環(huán)境中，添加兩個(gè)電容器進(jìn)一步增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。FAN6248在寬范圍的功率等級(jí)可靠、高效地運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)上述諧振工作而不產(chǎn)生電壓尖峰。在空載時(shí)，F(xiàn)AN6248進(jìn)入綠色模式和關(guān)閉。在輕載條件下，在綠色模式的控制器脈沖提供高能效標(biāo)準(zhǔn)如80pLUS、DoEVI和CoCTIer2所要求的極高能效供電。

過針刺 低溫防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆標(biāo)準(zhǔn)

充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

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內(nèi)置自適應(yīng)寄生電感補(bǔ)償還最大限度地減少由于封裝的雜散電感在SRMOSFET的體二極管導(dǎo)通，從而提高pSU能效。該系列有四款器件；電源設(shè)計(jì)人員能基于開關(guān)頻率（25kHz至70khz或60kHz至70khz）和與MOSFET有關(guān)的雜散電感水平選擇最適合他們應(yīng)用的型號(hào)。范圍適用于采用TO-220、D2pAK、DpAK或pQFN封裝形式的MOSFET。此外，F(xiàn)AN6248的10.5V高柵極驅(qū)動(dòng)輸出確保能驅(qū)動(dòng)這些極寬廣范圍的MOSFET。