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寧波材料所在多晶硅鈍化接觸n型晶硅太陽電池研究中獲系列進(jìn)展

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1363次  |  2020年04月21日  

多晶硅鈍化接觸技術(shù)(通常稱TOPCon,也稱為POLO、PERPoly、monoPolyTM、iTOPConTM、PERTOPTM)被廣泛認(rèn)為是最有希望的繼PERC電池之后的下一代高效晶硅電池技術(shù)之一,是晶硅太陽電池技術(shù)領(lǐng)域的研究重點(diǎn)。中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所太陽能及光電子器件研究團(tuán)隊(duì)在研究員葉繼春和閆寶杰的帶領(lǐng)下,在曾俞衡、廖明墩等團(tuán)隊(duì)成員的共同努力下,于2015年底起開始布局研究TOPCon技術(shù)。團(tuán)隊(duì)核心人員累計(jì)有30年以上的產(chǎn)業(yè)界經(jīng)歷,注重基礎(chǔ)研究與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求的緊密結(jié)合,旨在為該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供理論和實(shí)踐支撐。近來,寧波材料所團(tuán)隊(duì)在高性能鈍化接觸技術(shù)開發(fā)、高效全電池集成、關(guān)鍵材料開發(fā)、驗(yàn)證性設(shè)備開發(fā)等方面均取得顯著進(jìn)步。


在高性能鈍化接觸技術(shù)開發(fā)方面,寧波材料所綜合運(yùn)用高質(zhì)量界面氧化硅、致密多晶硅薄膜、優(yōu)化摻雜分布曲線、高效氫鈍化等技術(shù),獲得優(yōu)異的鈍化接觸指標(biāo)(采用單面飽和電流密度J0,s和隱含開路電壓iVoc進(jìn)行表征,J0,s越低越好、iVoc越高越好)。最優(yōu)n型技術(shù)的關(guān)鍵鈍化指標(biāo)為最低J0,s=0.8fA/cm2、最高iVoc=749mV(Sol.Energy,2019,194,18);最優(yōu)p型技術(shù)的關(guān)鍵鈍化指標(biāo)為最低J0,s=6.0fA/cm2、最高iVoc=722mV(Sol.EnergyMater.Sol.Cells,2020,210,110487),在國(guó)際上處于先進(jìn)水平。圖1(a,b)顯示了世界各主要研究機(jī)構(gòu)在關(guān)鍵鈍化指標(biāo)(J0,s)上的進(jìn)展。


在高效電池開發(fā)方面,寧波材料所堅(jiān)持實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā),經(jīng)過多年努力,于2020年1月開發(fā)出效率為24.27%的n型TOPCon電池(南開大學(xué)獨(dú)立測(cè)試)。圖2(a)顯示了世界各主要研究機(jī)構(gòu)在該類電池的最高效率進(jìn)展。值得一提的是,該最高效率電池集成了新型材料,而常規(guī)對(duì)照電池的最高效率僅為24.02%,如圖2(b)所示。經(jīng)統(tǒng)計(jì),運(yùn)用了新材料的電池的平均效率比常規(guī)電池的高出了0.32%abs(論文準(zhǔn)備中)。寧波材料所將這種新型鈍化接觸電池注冊(cè)為PERTOPTM電池(PassivatedEmitterandRearTunnelOxidePassivation)。


在關(guān)鍵材料開發(fā)方面,寧波材料所也做了大量的研究工作。針對(duì)界面氧化硅層,寧波材料所通過各種途徑,實(shí)驗(yàn)評(píng)估了各種氧化硅制備方法,包括硝酸氧化、紫外臭氧氧化、臭氧水氧化、混合酸氧化、熱氧化、等離子體輔助氧化、原子層沉積、等離子體沉積、磁控濺射氧化等。研究表明,不同方法獲得的氧化硅在厚度和組分上有所差異,不過只要經(jīng)過合理的后繼工藝配合,采用上述氧化硅材料獲得的n型TOPCon結(jié)構(gòu)的飽和電流密度均可低于12fA/cm2,部分可低于2fA/cm2,可滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求。值得一提的是,寧波材料所針對(duì)PECVD工藝路線亟需的原位氧化硅制備技術(shù),開發(fā)了等離子體輔助原位氧化法,利用該氧化硅材料獲得了優(yōu)異的鈍化和接觸性能,在n型硅片的最優(yōu)指標(biāo)為J0,s=2.0fA/cm2、iVoc=747mV(Sol.EnergyMater.Sol.Cells,2020,208,110389),在p型硅片的最優(yōu)指標(biāo)為J0,s=3.0fA/cm2、iVoc=742mV(Sol.EnergyMater.Sol.Cells,2019,200,109926);通過優(yōu)化氧化硅制備技術(shù),獲得具有優(yōu)異鈍化的p型TOPCon結(jié)構(gòu),在n型硅片的最優(yōu)指標(biāo)為J0,s=6.0fA/cm2、iVoc=722mV(Sol.EnergyMater.Sol.Cells,2020,210,110487),這也是迄今為止采用PECVD路線所獲得的最優(yōu)指標(biāo)之一。在多晶硅制備方面,寧波材料所同樣利用多種途徑,實(shí)驗(yàn)評(píng)估過PECVD、LPCVD、Sputtering、和E-Beam等技術(shù)路線?;趯?duì)不同技術(shù)路線優(yōu)缺點(diǎn)的了解,寧波材料所選擇主攻PECVD技術(shù)路線,在基于PECVD摻雜非晶硅的成膜條件、摻雜調(diào)控、晶化控制、脫膜抑制、方阻調(diào)整等方面均積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),制備出優(yōu)異性能的TOPCon結(jié)構(gòu)。


綜上所述,寧波材料所圍繞TOPCon技術(shù)的基礎(chǔ)科學(xué)問題及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用展開系統(tǒng)研究,部分關(guān)鍵指標(biāo)和電池效率取得顯著進(jìn)步;截至2020年3月,已在行業(yè)主流期刊Sol.EnergyMater.Sol.Cells,Sol.Energy,Sol.RRL等發(fā)表期刊論文14篇;申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利多項(xiàng),初步形成獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán);聯(lián)合中科院專業(yè)機(jī)構(gòu)完成《2019年TOPCon太陽能電池專利分析報(bào)告》一份;目前正在與合作單位聯(lián)合開發(fā)的基于PECVD技術(shù)路線的量產(chǎn)型設(shè)備,旨在解決行業(yè)缺乏核心裝備的問題。


該研究得到國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(2018YFB1500403)、國(guó)家自然科學(xué)基金(61874177、61974178)、浙江省自然科學(xué)基金(LY19F040002)等的資助。


圖1全世界主要科研機(jī)構(gòu)在(a)n型TOPCon技術(shù)和(b)p型TOPCon技術(shù)所達(dá)到的J0,s


圖2(a)全世界主要科研機(jī)構(gòu)在n型TOPCon電池效率的進(jìn)展,(b)寧波材料所的最高效率n型PERTOPTM電池和對(duì)照電池的光致J-V曲線


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