光伏當(dāng)前產(chǎn)業(yè)低迷，外有金融危機(jī)，市場(chǎng)萎靡，歐美雙反，貿(mào)易壁壘；內(nèi)有并網(wǎng)受限，政策滯后，產(chǎn)量過(guò)剩，產(chǎn)品同質(zhì)化，高資產(chǎn)負(fù)債率。光伏何時(shí)才能復(fù)蘇？行業(yè)的復(fù)蘇不等于復(fù)活，也許那時(shí)一些公司已經(jīng)成為一名過(guò)客了。那怎么樣的公司才能挺過(guò)這次寒潮呢？有技術(shù)實(shí)力，而且能將技術(shù)變成生產(chǎn)力的公司，將最終勝出，迎來(lái)光伏的下一個(gè)高潮。

有核心技術(shù)，自然能得到資本的青睞，解決資金的短缺。自然能夠突破價(jià)格戰(zhàn)和產(chǎn)量過(guò)剩的困局，獲得更高的利潤(rùn)。據(jù)計(jì)算，太陽(yáng)能光伏電池轉(zhuǎn)換效率每提高一個(gè)百分點(diǎn)，將使太陽(yáng)能電池組件的發(fā)電成本降低7%左右。目前國(guó)際市場(chǎng)的行情是：同樣是p型硅片制造，轉(zhuǎn)換效率高低成為定價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)。下游客戶使用高效太陽(yáng)電池做的組件，可以在安裝成本不變的情況下提高太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的年發(fā)電。高效電池就是光伏的突圍之匙。

光伏暴利的時(shí)代已經(jīng)過(guò)去。我國(guó)光伏行業(yè)在洗牌整合，在等待政策和貿(mào)易環(huán)境的改善，在積蓄內(nèi)力提高效率，等待一個(gè)真正輝弘的高潮的到來(lái)---光伏平價(jià)上網(wǎng)：光伏發(fā)電以平等的價(jià)格和傳統(tǒng)能源展開(kāi)發(fā)電市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，走入尋常百姓家。

什么是高效光伏電池

目前普通的太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化水平轉(zhuǎn)換效率：?jiǎn)尉?5%～17％、多晶12%～15％，非晶硅薄膜8％～９％。高效電池是指電池產(chǎn)業(yè)化水平轉(zhuǎn)換效率：?jiǎn)尉А?8％、多晶》16.5％、非晶硅薄膜》10％。要強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)的是我們說(shuō)的是產(chǎn)業(yè)化的電池轉(zhuǎn)換效率，是指能夠量產(chǎn)制造的，不是實(shí)驗(yàn)室精雕細(xì)刻出來(lái)的。實(shí)驗(yàn)室里面有很多電池效率很高，但或者工藝太復(fù)雜、或者技術(shù)不成熟，只具有研發(fā)意義，無(wú)法量產(chǎn)，無(wú)法降低生產(chǎn)成本，還不具有商業(yè)推廣價(jià)值。

大面積、薄片化、高效率以及高自動(dòng)化集約生產(chǎn)將是光伏硅電池工業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。通過(guò)降低電池的硅材料成本，提升光電轉(zhuǎn)換效率與延長(zhǎng)其使用壽命來(lái)降低單位電池的發(fā)電成本。通過(guò)集約化生產(chǎn)節(jié)約人力資源降低單位電池制造成本。通過(guò)合理的機(jī)制建立優(yōu)秀的技術(shù)團(tuán)隊(duì)、充分保證技術(shù)上的持續(xù)創(chuàng)新是未來(lái)光伏公司發(fā)展的核心競(jìng)爭(zhēng)力所在。

技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)-薄片化

降低硅片厚度是減少硅材料消耗、降低晶硅太陽(yáng)電池成本的有效技術(shù)措施，是光伏技術(shù)進(jìn)步的重要方面。30多年來(lái)，太陽(yáng)電池硅片厚度從70年的450～500μm降低到目前的150～180μm，降低了一半以上，硅材料用量大大減少，對(duì)太陽(yáng)電池成本降低起到了重要用途，是技術(shù)進(jìn)步促進(jìn)成本降低的重要范例之一。

硅片厚度的降低如表1所示。

光伏技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略目標(biāo)

典型商業(yè)組件的效率期望能從2010年的16%上升到2030年的25%，2050年上升到40%。隨著能源和材料在制造業(yè)的使用更加高效，光伏系統(tǒng)能源回收期的時(shí)間會(huì)不斷縮短的。預(yù)計(jì)能源回收期會(huì)從2010年的兩年降低到2030年的0.75年，到2050年會(huì)下降到0.5年。使用壽命期望從25年新增到40年。

戰(zhàn)略技術(shù)指標(biāo)

光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)路線圖

晶體硅電池發(fā)展的趨勢(shì)是低成本高效率，這是光伏技術(shù)的發(fā)展方向。低成本的實(shí)現(xiàn)途徑包括效率提高、成本下降及組件壽命提升三方面。效率的提高依賴工藝的改進(jìn)、材料的改進(jìn)及電池結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。成本的下降依賴于現(xiàn)有材料成本的下降、工藝的簡(jiǎn)化及新材料的開(kāi)發(fā)。組件壽命的提升依賴于組件封裝材料及封裝工藝的改善。因而，晶體硅電池發(fā)電的平價(jià)上網(wǎng)時(shí)間表除了與產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大有關(guān)外，最重要的依賴于產(chǎn)業(yè)技術(shù)（包括設(shè)備和原材料）的改進(jìn)。

僅靠工藝水平的改進(jìn)對(duì)電池效率的提升空間已經(jīng)越來(lái)越有限，電池效率的進(jìn)一步提升將依賴新結(jié)構(gòu)、新工藝的建立。具有產(chǎn)業(yè)化前景的新結(jié)構(gòu)電池包括選擇性發(fā)射極電池、異質(zhì)結(jié)電池、背面主柵電池及N型電池等。這些電池結(jié)構(gòu)采用不同的技術(shù)途徑解決了電池的柵線細(xì)化、選擇性擴(kuò)散、表面鈍化等問(wèn)題，可以將電池產(chǎn)業(yè)化效率提升2～3個(gè)百分點(diǎn)。為了進(jìn)一步降低成本、提高效率，各國(guó)光伏研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商不斷改善現(xiàn)有技術(shù)，開(kāi)發(fā)新技術(shù)。他們根據(jù)自己的技術(shù)實(shí)力和科研回報(bào)的期望，選擇不同的研究方向和路徑，共同促進(jìn)光伏技術(shù)的不斷進(jìn)步。

如圖所示為不同光伏技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r及前景

硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率損失機(jī)理

太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率受到光吸收、載流子輸運(yùn)、載流子收集的限制。關(guān)于單晶硅硅太陽(yáng)能電池，由于上光子帶隙的多余能量透射給下帶隙的光子，其轉(zhuǎn)換效率的理論最高值是28%。只有盡量減少損失才能開(kāi)發(fā)出效率足夠高的太陽(yáng)能電池。

影響晶體硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的原因重要來(lái)自兩個(gè)方面，如圖1所示：

（1）光學(xué)損失，包括電池前表面反射損失、接觸柵線的陰影損失以及長(zhǎng)波段的非吸收損失。

（2）電學(xué)損失，它包括半導(dǎo)體表面及體內(nèi)的光生載流子復(fù)合、半導(dǎo)體和金屬柵線的接觸電阻，以及金屬和半導(dǎo)體的接觸電阻等的損失。這其中最關(guān)鍵的是降低光生載流子的復(fù)合，它直接影響太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓。光生載流子的復(fù)合重要是由于高濃度的擴(kuò)散層在前表面引入大量的復(fù)合中心。此外，當(dāng)少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度與硅片的厚度相當(dāng)或超過(guò)硅片厚度時(shí)，背表面的復(fù)合速度對(duì)太陽(yáng)能電池特性的影響也很明顯。

圖1：普通太陽(yáng)能電池多種損失機(jī)制

提高晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的方法

（1）光陷阱結(jié)構(gòu)。一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達(dá)到10％以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)（RIE），該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶向無(wú)關(guān)，適用于較薄的硅片，通常使用SF6/O2混合氣體，在蝕刻過(guò)程中，F(xiàn)自由基對(duì)硅進(jìn)行化學(xué)蝕刻形成可揮發(fā)的SiF4，O自由基形成SixOyFz對(duì)側(cè)墻進(jìn)行鈍化處理，形成絨面結(jié)構(gòu)。目前韓國(guó)周星公司應(yīng)用該技術(shù)的設(shè)備可制得絨面反射率低于在2%~20%范圍。

（2）減反射膜。它的基本原理是位于介質(zhì)和電池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光出現(xiàn)的各級(jí)反射相互間進(jìn)行干涉從而完全抵消。單晶硅電池一般可以采用TiO2、SiO2、SnO2、ZnS、MgF2單層或雙層減反射膜。在制好絨面的電池表面上蒸鍍減反射膜后可以使反射率降至2％左右。

（3）鈍化層：鈍化工藝可以有效地減弱光生載流子在某些區(qū)域的復(fù)合。一般高效太陽(yáng)電池可采用熱氧鈍化、原子氫鈍化，或利用磷、硼、鋁表面擴(kuò)散進(jìn)行鈍化。熱氧鈍化是在電池的正面和背面形成氧化硅膜，可以有效地阻止載流子在表面處的復(fù)合。原子氫鈍化是因?yàn)楣璧谋砻嬗写罅康膽覓戽I，這些懸掛鍵是載流子的有效復(fù)合中心，而原子氫可以中和懸掛鍵，所以減弱了復(fù)合。

（4）新增背場(chǎng)：如在p型材料的電池中，背面新增一層p+濃摻雜層，形成p+/p的結(jié)構(gòu)，在p+/p的界面就出現(xiàn)了一個(gè)由p區(qū)指向p+的內(nèi)建電場(chǎng)。由于內(nèi)建電場(chǎng)所分離出的光生載流子的積累，形成一個(gè)以p+端為正，p端為負(fù)的光生電壓，這個(gè)光生電壓與電池結(jié)構(gòu)本身的pN結(jié)兩端的光生電壓極性相同，從而提高了開(kāi)路電壓Voc。同時(shí)由于背電場(chǎng)的存在，使光生載流子受到加速，這也可以看作是新增了載流子的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度，因而新增了這部分少子的收集幾率，短路電流Jsc也就得到提高。

（5）改善襯底材料：選用優(yōu)質(zhì)硅材料，如N型硅具有載流子壽命長(zhǎng)、制結(jié)后硼氧反應(yīng)小、電導(dǎo)率好、飽和電流低等。

高效晶體硅太陽(yáng)能電池-pERL電池

pESC、pERC、pERL電池是新南威爾士大學(xué)研究了近20年的先進(jìn)電池系列，前兩個(gè)子母pE（passivatedEmitter）代表前表面的鈍化（選擇性擴(kuò)散），后兩個(gè)子母代表后表面的擴(kuò)散和接觸情況。其中pERL衍生了南京中電的SE電池與尚德的pLUTO電池。

pESC（鈍化發(fā)射極背接觸）電池1985年問(wèn)世，可以做到大于83％的填充因子和20.8％（AM1.5）的效率。

pERC（鈍化發(fā)射極背場(chǎng)點(diǎn)接觸）電池，用背面點(diǎn)接觸來(lái)代替pESC電池的整個(gè)背面鋁合金接觸，這種電池達(dá)到了大約700mV的開(kāi)路電壓和22．3％的效率。

pERL（鈍化發(fā)射極背部局域擴(kuò)散）（passivatedEmitterandRearLocally-diffused）電池是鈍化發(fā)射極、背面定域擴(kuò)散太陽(yáng)能電池的簡(jiǎn)稱。1990年，新南威爾士大學(xué)的J.ZHAO在pERC電池結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，在電池背面的接觸孔處采用了BBr3定域擴(kuò)散制備出pERL電池，如圖所示。2001年，pERL電池效率達(dá)到24.7％，接近理論值，是迄今為止的最高記錄。

圖2：新南威爾士大學(xué)pERL電池h＝24.7%

高效晶體硅太陽(yáng)能電池-HIT電池

HIT電池是異質(zhì)結(jié)（hetero-junctionwithintrinsicthin-layer，HIT）太陽(yáng)能電池的簡(jiǎn)稱。1997年，日本三洋公司推出了一種商業(yè)化的高效電池設(shè)計(jì)和制造方法，電池制作過(guò)程大致如下：利用pECVD在表面織構(gòu)化后的N型CZ-Si片的正面沉積很薄的本征α-Si:H層和p型α-Si:H層，然后在硅片的背面沉積薄的本征α-Si:H層和n型α-Si:H層；利用濺射技術(shù)在電池的兩面沉積透明氧化物導(dǎo)電薄膜（TCO），用絲網(wǎng)印刷的方法在TCO上制作Ag電極。值得注意的是所有的制作過(guò)程都是在低于200℃的條件下進(jìn)行，這對(duì)保證電池的優(yōu)異性能和節(jié)省能耗具有重要的意義。

HIT電池具有高效的原理是：

（1）全部制作工藝都是在低溫下完成，有效地保護(hù)載流子壽命；

（2）雙面制結(jié)，可以充分利用背面光線；

（3）表面的非晶硅層對(duì)光線有非常好的吸收特性；

（4）采用的n型硅片其載流子壽命很大，遠(yuǎn)大于p型硅，并且由于硅片較薄，有利于載流子擴(kuò)散穿過(guò)襯底被電極收集；

（5）織構(gòu)化的硅片對(duì)太陽(yáng)光的反射降低；

（6）利用pECVD在硅片上沉積非晶硅薄膜過(guò)程中出現(xiàn)的原子氫對(duì)其界面進(jìn)行鈍化，這是該電池取得高效的重要原因。

2009年五月，這種電池的量產(chǎn)效率達(dá)到了19.5%，單元轉(zhuǎn)化效率達(dá)到23%。

HIT電池的工藝流程是：

硅片-》清洗-》制絨-》正面沉積-》背面沉積-》TCO濺射沉積-》絲網(wǎng)印刷Ag電極-》測(cè)試

這種電池具有結(jié)特性優(yōu)秀、溫度系數(shù)低、生產(chǎn)成本低廉和轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，所以在光伏市場(chǎng)上受到青睞，商業(yè)化生產(chǎn)速度發(fā)展很快，僅僅兩三年時(shí)間，產(chǎn)品已占整個(gè)光伏市場(chǎng)的5％

圖3：三洋公司HIT電池h＝23%

高效晶體硅太陽(yáng)能電池-IBC電池

IBC電池是背電極接觸（InterdigitatedBack-contact）硅太陽(yáng)能電池的簡(jiǎn)稱。由Sunpower公司開(kāi)發(fā)的高效電池，其特點(diǎn)是正面無(wú)柵狀電極，正負(fù)極交叉排列在背后。利用點(diǎn)接觸（point-contactcell，pCC）及絲網(wǎng)印刷技術(shù)。

這種把正面金屬柵極去掉的電池結(jié)構(gòu)有很多優(yōu)點(diǎn)：

（1）減少正面遮光損失，相當(dāng)于新增了有效半導(dǎo)體面積；

（2）組件裝配成本降低；

（3）外觀好。

由于光生載流子要穿透整個(gè)電池，被電池背表面的pN節(jié)所收集，故IBC電池要載流子壽命較高的硅晶片，一般采用N型FZ單晶硅作為襯底；正面采用二氧化硅或氧化硅/氮化硅復(fù)合膜與N+層結(jié)合作為前表面電場(chǎng)，并制成絨面結(jié)構(gòu)以抗反射。背面利用擴(kuò)散法做成p+和N+交錯(cuò)間隔的交叉式接面，并通過(guò)氧化硅上開(kāi)金屬接觸孔，實(shí)現(xiàn)電極與發(fā)射區(qū)或基區(qū)的接觸。交叉排布的發(fā)射區(qū)與基區(qū)電極幾乎覆蓋了背表面的大部分，十分有利于電流的引出，結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖。

圖4：Sunpower公司IBC電池h＝22.3%

這種背電極的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了電池正面“零遮擋”，新增了光的吸收和利用。但制作流程也十分復(fù)雜，工藝中的難點(diǎn)包括p+擴(kuò)散、金屬電極下重?cái)U(kuò)散以及激光燒結(jié)等。2009年七月Sunpower公司上市了轉(zhuǎn)換效率為19.3％的太陽(yáng)能電池模塊。

IBC電池的工藝流程大致如下：

清洗-》制絨-》擴(kuò)散N+-》絲印刻蝕光阻-》刻蝕p擴(kuò)散區(qū)-》擴(kuò)散p+-》減反射鍍膜-》熱氧化-》絲印電極-》燒結(jié)-》激光燒結(jié)。

高效晶體硅太陽(yáng)能電池-MWT電池

MWT電池是金屬穿孔卷繞（metallizationwrap-through，MWT）硅太陽(yáng)能電池的簡(jiǎn)稱。

MWT技術(shù)是荷蘭規(guī)模最大的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)商SollandSolar開(kāi)發(fā)的用于其Sunweb電池的方法。該技術(shù)應(yīng)用p型多晶硅，通過(guò)激光鉆孔將電池正面收集的能量穿過(guò)電池轉(zhuǎn)移至電池的背面。這種方法使每塊電池的輸出效率提高了2%，再與電池組件相連接，所得的輸出效率能提高9%，如圖5所示。

在MWT器件中，工藝的難點(diǎn)包括：激光打孔和劃槽隔絕的對(duì)準(zhǔn)及重復(fù)性、孔的大小及形狀的控制、激光及硅襯底造成的損傷及孔內(nèi)金屬的填充等。一般MWT每塊硅片要鉆約200個(gè)通孔。

MWT電池的制作流程大致為：

硅片-》激光打孔-》清洗制絨-》發(fā)射極擴(kuò)散-》去pSG-》沉積SIN-》印刷正面電極-》印刷背面電極-》印刷背電場(chǎng)-》燒結(jié)-》激光隔絕-》測(cè)試。

圖：MWT電池將發(fā)射極從正面“卷繞”至背面

高效晶體硅太陽(yáng)能電池-EWT電池

EWT電池是發(fā)射極環(huán)繞穿通（emitter-wrap-through，EWT）硅太陽(yáng)能電池的簡(jiǎn)稱。

與MWT電池不同的是，在EWT電池中，傳遞功率的柵線也被轉(zhuǎn)移至背面。與MWT電池類似，EWT電池也是通過(guò)在電池上鉆微型孔來(lái)連接上、下表面。相比MWT電池的每塊硅片約200個(gè)通孔，EWT電池每塊硅片大約有2萬(wàn)個(gè)這種通孔，故激光鉆孔成為唯一可滿足商業(yè)規(guī)模速度的工藝，如圖所示。

EWT電池由于正面沒(méi)有柵線和電極，使模組裝配更為簡(jiǎn)便，同時(shí)由于防止了遮光損失且實(shí)現(xiàn)了雙面收集載流子，使光生電流有大幅度的提高。用于工業(yè)化大面積硅片的EWT電池工藝多采用絲網(wǎng)印刷和激光技術(shù)，并對(duì)硅片質(zhì)量具有一定的要求，這為EWT電池工藝技術(shù)提出諸多的要求，比如無(wú)損傷激光切割的實(shí)現(xiàn)、絲網(wǎng)印刷對(duì)電極形狀的限制、孔內(nèi)金屬的填充深度以及發(fā)射極串聯(lián)電阻的優(yōu)化等。利用這種新型幾何結(jié)構(gòu)生產(chǎn)出來(lái)的早期電池獲得了超過(guò)17%的效率。

圖：采用背面分布式觸點(diǎn)的EWT電池

高效晶體硅太陽(yáng)能電池-LGBC電池

LGBC電池是有激光刻槽埋柵電極（Lasergrooveburycontact）工藝電池的簡(jiǎn)稱。由UNSW開(kāi)發(fā)的技術(shù)，是利用激光技術(shù)在硅表面上刻槽，然后埋入金屬，以起到前表面點(diǎn)接觸柵極的用途。如圖所示，發(fā)射結(jié)擴(kuò)散后，用激光在前面刻出20μm寬、40μm深的溝槽，將槽清洗后進(jìn)行濃磷擴(kuò)散，然后槽內(nèi)鍍出金屬電極。電極位于電池內(nèi)部，減少了柵線的遮蔽面積，使電池效率達(dá)到19.6%。

與傳統(tǒng)工藝的前表面鍍敷金屬層相比，這種電池具有的優(yōu)點(diǎn)是：柵電極遮光率小、電流密度高，埋柵電極深入硅襯底內(nèi)部可新增對(duì)基區(qū)光生電子的收集，濃磷擴(kuò)散降低濃磷區(qū)電阻功耗和柵指電極與襯底的接觸電阻功耗，提高了電池的開(kāi)路電壓。

這種電池既保留了高效電池的特點(diǎn)，又省去了高效電池制作中的一些復(fù)雜的工藝，很適合利用低成本、大面積的硅片進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。目前這一技術(shù)已經(jīng)轉(zhuǎn)讓給好幾家世界上規(guī)模較大的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)廠。如英國(guó)的BpSOLAR和美國(guó)的SOLAREX等。

激光刻槽埋柵電池的大致工藝流程為：

硅片-》清洗制絨-》淡磷擴(kuò)散-》熱氧化鈍化-》開(kāi)槽-》槽區(qū)濃磷擴(kuò)散-》背面蒸鋁-》燒背場(chǎng)-》化學(xué)鍍埋柵-》背面電極-》減反射膜-》去邊燒結(jié)-》測(cè)試。

圖：新南威爾士大學(xué)激光刻槽埋柵電池h＝19.8%

高效晶體硅太陽(yáng)能電池-OECO電池

OECO電池是傾斜蒸發(fā)金屬接觸（Obliquelyevaporatedcontact，OECO）硅太陽(yáng)能電池的簡(jiǎn)稱。

OECO太陽(yáng)電池是德國(guó)ISFH研究所從九十年代就開(kāi)始研制的一種新型單晶硅電池。與其他高效電池相比，具有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)新穎、制作簡(jiǎn)單、電極原料無(wú)損耗、成本低廉和適合大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。OECO電池結(jié)構(gòu)基于金屬－絕緣體－半導(dǎo)體（MIS）接觸，利用表面溝槽形貌的遮掩在極薄的氧化隧道層上傾斜蒸鍍低成本的Al作為電極，無(wú)需光刻、電極燒穿、電極下重?fù)诫s和高溫工藝即可形成高質(zhì)量的接觸，并且一次性可蒸鍍大批量的電池電極。更為重要的是當(dāng)這種電池制作面積從4cm2擴(kuò)大到100cm2時(shí)，效率也只是從21.1％略微降到20％，仍然屬于高效范圍，所以這種結(jié)構(gòu)的電池更適宜于工藝生產(chǎn)。

OECO結(jié)構(gòu)示意圖如圖8所示，電池的表面由許多排列整齊的方形溝槽組成，淺發(fā)射極n+位于硅片的上表面，在其上有一極薄的氧化隧道層，Al電極傾斜蒸鍍于溝槽的側(cè)面，然后利用pECVD蒸鍍氮化硅作為鈍化層和減反射膜

OECO電池有以下特點(diǎn)：

（1）電極是蒸鍍?cè)跍喜鄣膫?cè)面，有利于提高短路電流；

（2）優(yōu)異的MIS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以獲得很高的開(kāi)路電壓和填充因子；

（3）高質(zhì)量的蒸鍍電極接觸；

（4）不受接觸特性限制的可以被最優(yōu)化的淺發(fā)射極；

（5）高質(zhì)量的低溫表面鈍化。

電池的制作具體過(guò)程為：

前表面機(jī)械開(kāi)槽→化學(xué)腐蝕清洗→背面掩膜（擴(kuò)散）→前表面化學(xué)制絨→使用液態(tài)源pOCl3進(jìn)行磷擴(kuò)散制作n+發(fā)射極→打開(kāi)背面接觸→真空蒸鍍Al作為背電極→前表面低溫?zé)嵫趸纬裳趸淼缹印氨砻鏌o(wú)需掩膜直接傾斜蒸鍍Al作為面電極→使用導(dǎo)電膠將各個(gè)面電極連接起來(lái)→采用pECVD法在前表面蒸鍍氮化硅作為鈍化和減反射層。

圖：德國(guó)ISFH的OECO電池h＝21.1%

高效晶體硅太陽(yáng)能電池-N型晶體硅電池

N型硅襯底的優(yōu)點(diǎn)：N型硅（n-Si）相關(guān)于p型硅來(lái)說(shuō)，由于對(duì)金屬雜質(zhì)和許多非金屬缺陷不敏感，或者說(shuō)具有很好的忍耐性能，故其少數(shù)載流子具有較長(zhǎng)而且穩(wěn)定的擴(kuò)散長(zhǎng)度。

目前只有Sunpower和sanyo兩家公司N型Si襯底生產(chǎn)高效太陽(yáng)能電池做得較好。英利“熊貓”N型單晶硅高效電池項(xiàng)目填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)N型電池技術(shù)的空白。如何在N型硅襯底上實(shí)現(xiàn)pN結(jié)：硼擴(kuò)散制結(jié)、非晶硅/晶硅異質(zhì)結(jié)以及Al擴(kuò)散制結(jié)三種基本方法。硼擴(kuò)散制結(jié)要高溫，高溫是太陽(yáng)能電池制備工藝最忌諱的！HIT電池只有Sanyo做得較好，沒(méi)有推廣。Al推進(jìn)制結(jié)目前受到普遍關(guān)注，因其價(jià)格低廉而又容易實(shí)現(xiàn)。具體工藝參數(shù)信息見(jiàn)附圖，對(duì)專業(yè)人士很有參考價(jià)值。