小型便攜式電子產(chǎn)品采用的鋰離子電池或鋰聚合物電池的容量較小，大部分在400～1000mAh范圍內(nèi)，與之配套的充電器的最大充電電流為450～1000mAh。由于電流不大，一般采用線性充電器。

新型線性鋰離子電池充電器功能齊全、性能良好、電路簡單、占印制版面積小，價格低廉，整個充電器可以在產(chǎn)品中。若采用USB端口充電，使用十分方便。

近年來，一些用電量稍大的便攜式電子產(chǎn)品（如便攜式DVD、礦燈、攝像機(jī)、便攜式測量儀器、小型電動工具等）往往采用1500mAh到5400mAh容量的鋰離子電池。若采用500～1000mA充電電流充電器充電，則充電時間太長。若按0.5C充電率來充3000mAh及5400mA時的電池時，其充電電池的容量要求為1500mA及2700mA。

有人提出：能否在1A線性充電器電路中加一個擴(kuò)流電路，使充電電流擴(kuò)大到2～2.5A，解決3000～5400mAh容量鋰離子電池的充電問題。假如擴(kuò)流的充電器性能不錯、電路簡單、成本不高，這是個好主意。筆者就按這一思路設(shè)計一個擴(kuò)流電路。這電路采用型號為CN3056的1A線性充電器為基礎(chǔ)，另外加上擴(kuò)流電路及控制電路組成。

CN3056簡介

CN3056充電器已在本刊2006年12期及2007年電源增刊上介紹過（“線性鋰二次電池充電器芯片CN3056”）。這里僅作一簡介。

CN3056組成的充電器按恒流、恒壓模式充電，若充電電池電壓＜3V，則有小電流預(yù)充電模式；充電電流可設(shè)定，最大充電電流為1A；精電密度4.2V±1%、有熱調(diào)節(jié)、欠壓鎖存及電池溫度檢測、超溫保護(hù)及充電狀態(tài)和溫度超差指示功能；10引腳小尺寸DFN封裝（3mm×3mm）。

若充電率在0.5～1C之間、電池的溫度在0～45℃之間（室溫充電），則CN3056充電器電路中可省去電池溫度檢測電路及電池超溫指示電路（引腳TEMp及FAULT端接地），電路如圖1所示。VIN是電源輸入端、CE是使能端，（高電平有效）；RISET為充電電流ICH設(shè)定電阻，RISET（Ω）=1800（V）/ICH（A）；CHRG為充電狀態(tài)信號輸出端：充電時此端為高電平，LED亮；充電結(jié)束時此端為高阻抗，LED滅；電池未裝入或接觸不良，LED閃亮。VIN一般取4.5～5V，10μF及6.8μF為輸入、輸出電容，保證充電器穩(wěn)定工作。

充電器擴(kuò)流電路

充電器擴(kuò)流電路是在原充電器電路上加上擴(kuò)流電路組成的。擴(kuò)流電路由兩部分組成：擴(kuò)流部分及控制部分。采用CN3056充電器為基礎(chǔ)，加上擴(kuò)流部分及控制部分電路如圖2所示?，F(xiàn)分別介紹其工作原理。

1擴(kuò)流部分電路

擴(kuò)流部分電路如圖3所示。它由p溝道功率MOSFET（VT）、R及Rp組成的分壓器、肖特基二極管D4組成。利用分壓器調(diào)節(jié)p-MOSFET的-VGS大小，使獲得所需擴(kuò)流電流ID。p-MOSFET的輸出特性（以Si9933DY為例）如圖4所示。在-VGS=2.1V、VDS＞0.5V時，其輸出特性幾乎是一水平直線；在不同的VDS時，ID是恒流。從圖4也可以看出，在-VGS新增時，ID也相應(yīng)新增。

2控制部分電路

控制部分電路的目的是要保持原有的三階段充電模式，在預(yù)充電階段及恒壓充電階段不擴(kuò)流，擴(kuò)流僅在恒流階段，如圖5所示。

原充電器以1A電流充電，若擴(kuò)流電流為1A，則在恒流充電階段時充電電流為2A。圖5中紅線為充電電池電壓特性、黑線為充電電流特性，實(shí)線為加擴(kuò)流特性，虛線為未加擴(kuò)流特性。從圖5可看出：擴(kuò)流的充電時間t5比不擴(kuò)流的時間要短（圖5中的時間坐標(biāo)并未按比例畫）；并且也可以看出：擴(kuò)流僅在恒流充電階段進(jìn)行。

為保證擴(kuò)流在電池電壓3.0V開始，在電池電壓4.15V時結(jié)束，控制電路設(shè)置了窗口比較器，在電池電壓（VBAT）為3.0～4.15V之間控制p-MOSFET導(dǎo)通。在此窗口電壓外，p-MOSFET截止。

在圖2中，由R5、R6及R7、R8組成兩個電壓分壓器（檢測電池的電壓VBAT），并分別將其檢測的電壓輸入比較器p1及比較器p2組成的窗口比較器。R3、R4分別為p1及p2的上拉電阻，D2、D3為隔離二極管。充電電池電壓VBAT與p1、p2的輸出及p-MOSFET的工作狀態(tài)如表1所示。

從圖2可看出：p-MOSFET的-VGS電壓是由R2、Rp往D1供應(yīng)的，則p-MOSFET在上電后應(yīng)是一直導(dǎo)通的?，F(xiàn)要求在電池電壓（VBAT）小于3.0V及大于4.15V時p-MOSFET要關(guān)斷，則控制電路要在VBAT＜3.0V及VBAT＞4.15V時，在p-MOSFET的柵極G上加上高電平，使其-VGS=0.7V，小于導(dǎo)通閾值電壓-VGS（th），則p-MOSFET截止（關(guān)斷）。現(xiàn)由p1、p2比較器及其他元器件組成窗口比較器實(shí)現(xiàn)了這一控制要求：無論是p1或p2輸出高電平時，VIN通過R4或R3及D3或D2加在p-MOSFET的柵極上，迫使柵極電壓為VIN=0.7V，則-VDS=0.7V而截止，滿足了控制的要求（見圖6）。圖中，D1、D2、D3是隔離二極管，是正確控制必不可少的。

p-MOSFET的功耗及散熱

1擴(kuò)流管p-MOSFET的功耗計算

p-MOSFET在擴(kuò)流時的功耗pD與輸出電壓VIN電池電壓VBAT、肖特基二極管的正向壓降VF及擴(kuò)流電流ID有關(guān)，其計算公式如下：pD=VIN-(VBAT+VF)×ID(1)其最大的功耗是在VIN（max）及VBAT(min）時，即在擴(kuò)流開始時（VBAT=3V），則上式可寫成：pDmax=VIN（max）-(3V+VF)×ID(2)若VIN（max）=5.2V、在ID=1A時，VF=0.4V，則pDmax=1.8W。選擇的p-MOSFET的最大允許功耗應(yīng)大于計算出的最大功耗。

2p-MOSFET的散熱

貼片式功率MOSFET采用印制板的敷銅層來散熱，即在設(shè)計印制板時要留出一定的散熱面積。例如，采用DpAK封裝的MTD2955E在計算出pDmax=1.75W時，需11mm2散熱面積；若pDmax=3W時，需26mm2散熱面積。若采用雙面敷銅板（在上下層做一些金屬化孔相互連接，利用空氣流通），則其面積可減小。若散熱不好，功率MOSFET的溫度上升，ID的輸出會隨溫度新增而上升。所以足夠的散熱是要重視的，最好是實(shí)驗(yàn)確定其合適散熱面積，使ID穩(wěn)定。

這里還要指出的是，不同封裝的p-MOSFET，在同樣的最大功耗時，其散熱面積是不同的。例如采用SO-8封裝的Si99XXDY系列p-MOSFET時，封裝尺寸小、背面無金屬散熱墊，其散熱面積要比用DpAK封裝大得多。具體的散熱面積由實(shí)驗(yàn)確定。

兩種功率MOSFET

這里介紹兩種p-MOSFET：Si9933DY及MTD2955E。

1Si9933DY及MTD2955E的重要參數(shù)

Si9933DY及MTD2955E的重要參數(shù)見表2。

2引腳排列

Si9933DY引腳排列如圖7所示，MTD2955E引腳排列如圖8所示。

3輸出特性

Si9933DY時可將兩MOSFET并聯(lián)應(yīng)用，使功率新增一倍，pDS（ON）減小一半。采用Si9933DY可擴(kuò)流1A。采用MTD2955E可擴(kuò)流2A或2A以上。

結(jié)語

采用上述簡單的擴(kuò)流電路可新增充電電流到2～3A。但由于擴(kuò)流管工作于線性狀態(tài)，管耗大，效率60%～70%。若要更大的充電電流還是用開關(guān)電源，它可獲得更高的效率。