高能氫離子束轟擊3毫米厚的晶硅盤，離子積累的精確深度達(dá)到20微米，機(jī)械臂就會(huì)快速移去晶圓，然后放在爐子里，這樣，硅中的離子就會(huì)形成微觀氫氣氣泡，這些氣泡會(huì)擴(kuò)大，在硅晶片中形成微小裂縫，這就會(huì)使20微米厚的硅層剝落下來(lái)。雙溪技術(shù)公司（TwinCreeksTechnologies）是一家新創(chuàng)公司，一直在默默無(wú)聞地經(jīng)營(yíng)，今天，公司開(kāi)發(fā)出一種方法，用以制作晶硅薄片，它說(shuō)可以使硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本減少一半。公司在一所小廠展示了這項(xiàng)技術(shù)，這是一所每年25兆瓦的太陽(yáng)能電池廠，正在建設(shè)之中，就在密西西比州（Mississippi）的塞納陶比亞（Senatobia）。

柔性電源：雙溪公司20微米厚的金屬涂層硅片柔韌強(qiáng)大。來(lái)源：麻省理工科技創(chuàng)業(yè)

西哇西哇拉姆（SivaSivaram）是雙溪公司首席執(zhí)行官，他說(shuō)，公司的技術(shù)既減少了所需硅的數(shù)量，也減少了生產(chǎn)設(shè)備的成本。他聲稱，公司生產(chǎn)太陽(yáng)能電池，大約只需每瓦40美分，相比之下，現(xiàn)在最便宜的太陽(yáng)能電池也要約80美分。雙溪公司已籌集到9300萬(wàn)美元風(fēng)險(xiǎn)資本，再加上密西西比州的貸款和其他來(lái)源的資金，公司會(huì)用于建設(shè)它的太陽(yáng)能廠。

晶硅片占太陽(yáng)能電池的大部分，傳統(tǒng)方法制備晶硅片，要切割塊狀或柱狀硅，形成200微米厚的晶圓，這個(gè)工藝會(huì)把大約一半的硅變成廢棄物。業(yè)界使用200微米的晶圓，因?yàn)榫A太薄，就很脆，往往會(huì)在生產(chǎn)線上碎裂。但在理論上，它們可以達(dá)到20至30微米薄，仍然會(huì)同樣有效，甚至?xí)佑行У匕烟?yáng)光轉(zhuǎn)換成電能。

雙溪公司的工藝可以制作20微米厚的硅片，基本上沒(méi)有浪費(fèi)。這要使用薄層金屬，使它們足夠耐用，可以承受傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池加工設(shè)備。西哇拉姆說(shuō)，因?yàn)榇蟠鬁p少了線鋸及相關(guān)設(shè)備的使用，而且制作更薄的晶圓，所以，雙溪公司所需的硅量減少了90％，也大大降低了資本費(fèi)用。他說(shuō)，這項(xiàng)技術(shù)可以添加到現(xiàn)有的生產(chǎn)線上。這家公司的重要計(jì)劃是出售生產(chǎn)設(shè)備，而不是生產(chǎn)太陽(yáng)能電池。我預(yù)計(jì)，到明年這個(gè)時(shí)候，我們會(huì)有六到十二個(gè)這樣的工具實(shí)地使用，他說(shuō)。

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加快太陽(yáng)能發(fā)電：雙溪公司的海曝離3（Hyperion3）是離子加速器，用氫離子轟擊硅板，出現(xiàn)非常薄的太陽(yáng)能硅片，用于太陽(yáng)能電池。硅板排列在所說(shuō)結(jié)構(gòu)的外圍，離子撞擊晶圓時(shí)，這些結(jié)構(gòu)會(huì)旋轉(zhuǎn)。來(lái)源：麻省理工科技創(chuàng)業(yè)

這個(gè)工藝始于真空室，其中，高能氫離子束轟擊3毫米厚的晶體硅盤。離子積累的精確深度是20微米，這是由光束電壓控制的。一旦積累了足夠的離子，機(jī)械臂就會(huì)快速移去晶圓，然后放在爐子里，這樣，硅中的離子就會(huì)形成微觀氫氣氣泡，這些氣泡會(huì)擴(kuò)大，在硅晶片中形成微小裂縫，這就會(huì)使20微米厚的硅層剝落下來(lái)。公司把金屬襯板用于這樣的薄層硅上。公司使用的這一專用工藝使它不同于另一家公司，就是阿斯特羅瓦特公司（Astrowatt），這家公司制作的晶圓同樣薄。但是，阿斯特羅瓦特公司的晶圓只能略為彎曲，這就難以適用傳統(tǒng)的生產(chǎn)設(shè)備。

雙溪公司的晶圓可兼容傳統(tǒng)的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備，而且，也兼容現(xiàn)在使用的一些工藝，可制作先進(jìn)的太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)，如異質(zhì)結(jié)構(gòu)電池（heterojunctioncells）。西哇拉姆說(shuō)，這種氫離子工藝可以采用硅以外的單晶材料，包括砷化鎵（galliumarsenide），這種半導(dǎo)體生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池，效率打破世界紀(jì)錄。

使用離子束制作晶硅薄晶圓，以前也考慮過(guò)，但過(guò)于昂貴，難以成為一種實(shí)用的制造方法。它要粒子加速器，出現(xiàn)的離子束要有非常高的電流和非常高的能量，這樣的東西過(guò)去是不存在的，西哇拉姆說(shuō)。他說(shuō)，為了使這項(xiàng)技術(shù)可行，雙溪公司開(kāi)發(fā)出一種離子加速器，比市面上的任何加速器都要強(qiáng)10倍。

雖然公司強(qiáng)調(diào)，這項(xiàng)技術(shù)兼容現(xiàn)有的生產(chǎn)線，但是，它確實(shí)要求，至少要有一項(xiàng)改變。通常情況下，晶圓經(jīng)處理，會(huì)形成粗糙的表面紋理，這有助于它們吸收光線，而不是反射光線。這種紋理是由金字塔組成，高度相當(dāng)于雙溪公司晶圓的厚度，所以，與新晶片一起使用是不切實(shí)際的。

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