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美國紐約大學(xué)新研究:節(jié)能自旋開關(guān)切換狀態(tài)無需電流

鉅大LARGE  |  點擊量:787次  |  2019年05月29日  

美國紐約大學(xué)研究人員開發(fā)出一種電壓控制的拓撲自旋開關(guān)(VTOPSS),只需要電場而不需要電流,就能在兩種布爾邏輯狀態(tài)之間切換。研究人員認為,這一新技術(shù)可大大減少能耗及產(chǎn)生的熱量,比現(xiàn)有的自旋電子技術(shù)和CMOS技術(shù)更有競爭力,具有良好發(fā)展前景。

現(xiàn)在的邏輯和存儲設(shè)備,如計算機硬盤驅(qū)動器,通過納米磁機制來存儲和操縱信息,需要利用電流傳輸自旋信息,控制磁性,會產(chǎn)生熱量及能量損失,從而增加運行成本。對于大型服務(wù)器或需要大量存儲器的人工智能應(yīng)用來說,這種能耗成本巨大。而VTOPSS利用拓撲絕緣體和低力矩磁性絕緣體組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu),可以在不帶電的情況下傳輸自旋信息,進而降低能耗。

研究人員在最新出版的《物理評論應(yīng)用》雜志上對VTOPSS的工作原理、性能指標等情況做了介紹?;鶞蕼y試結(jié)果顯示,與現(xiàn)有的全自旋邏輯器件和電荷自旋邏輯器件相比,VTOPSS的能耗低了10—70倍,能量延遲積低了70—1700倍。而隨著材料性能的提高,VTOPSS的能耗和能量延遲積甚至可以分別降到幾阿托焦耳(1阿托焦耳等于10-18焦耳)/比特和10-28焦耳/秒。與現(xiàn)有的CMOS技術(shù)相比,VTOPSS技術(shù)同樣頗具競爭力。研究表明,控制CMOS邏輯性能的互連問題對VTOPSS來說相對不那么重要,這意味著可以用高電阻材料來互連VTOPSS設(shè)備。

研究人員指出,雖然VTOPSS這種異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件仍比硅晶體管稍慢,但它集成了邏輯與非易失性內(nèi)存,從而增加了功能和電路設(shè)計的可能性。此外,由于減少了對云內(nèi)存的依賴,VTOPSS讓黑客更難以獲得對系統(tǒng)硬件的訪問權(quán)限,在保證計算安全性方面也更具潛力。

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