鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:1615次 | 2019年08月21日
正弦交流電電路中電阻有何作用?IGBT電路中柵極電阻的選取規(guī)則及工作原理
電阻元件兩端的電壓與通過它的電流之間關(guān)系受歐姆定律約束。當(dāng)正弦電流流過電阻R時(shí),如圖所示,選定電壓與電流的參考方向一致,則根據(jù)歐姆定律有:
若選電流i為參考正弦量,則,代入上式有:
電流與電壓的波形示于圖中。由上可見,當(dāng)流過
電阻的電流為正弦函數(shù)時(shí),電阻上的電壓是與電流同頻率的正弦量。電流與電壓同相位,它們的有效值也服從歐姆定律,即:
如果用相量形式來表示,則有
上式是復(fù)數(shù)形式的歐姆定律表達(dá)式。該式同時(shí)表述了電阻元件上,正弦電壓與電流之間的相位關(guān)系和有效值關(guān)系。根據(jù)式可畫出電壓、電流的相量圖,如圖所示。
IGBT電路中柵極電阻的選取規(guī)則及工作原理
一、柵極電阻Rg的作用
1、消除柵極振蕩
絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結(jié)構(gòu),柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩,因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。
2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗
電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上,使其溫度上升很多。
3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度
柵極電阻小,開關(guān)器件通斷快,開關(guān)損耗??;反之則慢,同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率大大提高,從而產(chǎn)生較大的干擾,嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無法工作,因此必須統(tǒng)籌兼顧。
二、柵極電阻的選取
1、柵極電阻阻值的確定
各種不同的考慮下,柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異。初試可如下選?。?/p>
不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試。
2、柵極電阻功率的確定
柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定,一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率p=FUQ,其中:
F為工作頻率;
U為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值;
Q為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。
例如,常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負(fù)電壓-9V,則U=24V,
假設(shè)F=10KHz,Q=2.8uC
可計(jì)算出p=0.67w,柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。
三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)
1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:
a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長度;
b)驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合,并且不要用過粗的線;
c)線路板上的2根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近;
d)柵極電阻使用無感電阻;
e)如果是有感電阻,可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。
2、IGBT開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻
通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果,IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度,分別選取Rgon和Rgoff(也稱Rg+和Rg-)往往是很必要的。
IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,如落木源TX-KA101、TX-KA102等,只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。
有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來的Rg上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。
3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K電阻,防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。落木源驅(qū)動(dòng)板常見型號(hào)上(如:TX-DA962Dx、TX-DA102Dx)已經(jīng)有Rge了,但考慮到上述因素,用戶最好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。