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從內(nèi)部構(gòu)造分析單、多晶電池性能差異

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1392次  |  2020年04月09日  

一、晶硅太陽(yáng)能電池的分類(lèi)


晶硅太陽(yáng)能電池從結(jié)構(gòu)來(lái)分,分為P型和N型(詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)參考:P型和N型電池結(jié)構(gòu)的詳細(xì)介紹)。目前主流的電池多為P型,其電池片結(jié)構(gòu)如圖1所示:一般以P型Si作為基底,表面擴(kuò)散磷形成PN結(jié),外面再鍍一層減反射膜。PN結(jié)是太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵結(jié)構(gòu),PN結(jié)品質(zhì)的好壞直接決定電池光電轉(zhuǎn)換能力的高低。


圖1:P型晶硅電池結(jié)構(gòu)示意圖


晶硅太陽(yáng)能電池從制造工藝來(lái)分,又分為單晶硅電池和多晶硅電池。


單晶硅片來(lái)自于單晶硅硅棒切割,硅棒采取類(lèi)似藍(lán)寶石等單晶材料的生長(zhǎng)方式。因此,其原子排列短程有序、長(zhǎng)程也有序,得到的半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷相對(duì)較少,但相應(yīng)的成本也更高。


多晶硅片來(lái)自于多晶硅鑄錠切割,硅錠的工藝路線類(lèi)似鋼鐵材料。因此,其原子排列僅短程有序,存在晶界。


圖2:?jiǎn)?、多晶硅晶格示意圖


圖3:多晶材料晶界示意圖


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